芯片产业链传出一则新消息！
今日(10月19日)，在美股夜盘交易中，英伟达（NVDA）和台积电（TSM）股价均大幅拉升。截至记者发稿，英伟达（NVDA）上涨1.73%，台积电（TSM）上涨1.80%。美指期货亦全线拉升，道指期货涨超0.4%，纳指期货涨超1.3%。
消息面上，据韩国《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电（TSM）3纳米工艺，生产英伟达（NVDA）下一代定制高带宽存储器(HBM)的核心部件——基础裸片(base die)。
此外，令市场关注的是，黄仁勋将发表主题演讲。当地时间10月20日至22日，英伟达（NVDA）GTC大会将在德国柏林举行，黄仁勋将在21日发表主题演讲。作为英伟达（NVDA）下半年最受关注的技术与生态大会，本届GTC把重心从“卖GPU”进一步推向“卖AI工厂”，据官方介绍，大会设有100多场专题分享，覆盖完整人工智能（885728）技术栈，将聚焦加速计算、智能体AI(Agentic AI)、物理AI(Physical AI)、机器人、开源模型、AI基础设施等方向。
此前，三星的HBM产品从作为存储芯片（886042）的核心裸片(core die)到承担系统半导体（881121）功能的基础裸片均由自家生产。此次针对英伟达（NVDA）NVHBM，三星决定接受英伟达（NVDA）的技术要求，放弃原有的一站式(turnkey)制造方案，改为分环节协作。
据业内人士透露，英伟达（NVDA）已要求负责生产NVHBM的三星电子、SK海力士（SKHY）和美光科技（MU）三家供应商，均采用台积电（TSM）3纳米工艺制造基础裸片；同时要求核心裸片统一采用第六代DRAM工艺(代号1c)。NVHBM是英伟达（NVDA）于8月发布的定制HBM，基于第七代，即下一代HBM架构HBM4E。英伟达（NVDA）提出上述要求，是因为各HBM供应商制造方式不同，同一设计难以保证性能一致；统一标准也可减轻对各家产品逐一验证的负担。
四年前，三星电子曾与台积电（TSM）合作，确保HBM与图形处理器(GPU)连接时兼容台积电（TSM）的封装工艺；但这是双方首次在HBM制造阶段展开合作。
据报道，对于标准HBM产品，三星电子将维持一站式策略。其第六代HBM4已于今年早些时候在全球率先量产，第七代HBM4E正进行量产验证；这两款产品的基础裸片均采用三星自家4纳米晶圆代工工艺，核心裸片则在三星华城和平泽园区的1c产线上生产。
对于供应AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续采用一站式方案。同时，三星也未排除由自家晶圆代工厂开发和量产NVHBM的可能性。一位业内人士表示：“三星正在评估能否在自有晶圆代工厂生产NVHBM基础裸片。这是为应对NVHBM需求可能超出台积电（TSM）产能而做的对冲准备。”
