10月15日，以“Everest巅峰之上.跨越四年的技术长征”为主题的长飞先进技术发布会在深圳召开。会上，长飞先进面向车规主驱市场正式发布了自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及DeepXE™嵌入式PCB功率模块，并针对AI数据中心领域发布了其基于成熟量产芯片PG4E的单管系列及EZ2C/3C特色模块家族，用先进的碳化硅技术重新定义能源（850101）效率边界。
长飞先进总裁陈重国表示，“近期来看，新能源汽车（885431）的爆发是核心推动力，可能三到五年之后，AI会成为下一个巨大的应用增长点，所以短期看汽车，长期看AI，是两大核心驱动力。”基于对产业趋势的判断，本次发布会的新品也重点围绕两大赛道落地。
本次重磅发布的长飞先进高性能SiC MOSFET系列芯片，正是布局汽车赛道的核心载体。该产品性能卓越，拥有丰富的产品矩阵及成本优势，能匹配更多性能要求。产品Rsp低至1.7-2.2mΩ.cm2²，主要适配700V、800V、900V高压系统，短路耐受时间SCWT&短路能量ESC达业内先进水平，同时通过了AEC-Q101标准下全套可靠性测试及强化寿命&环境试验条件3000h验证。
与此同时，长飞先进自主研发的DeepXE™嵌入式产品，拥有三大技术亮点：一是基于Cavity-Free AMB内嵌单元的创新PCB叠构方案；二是功率半导体（881121）芯片表面金属化与关键界面先进互联工艺；三是电热磁力多物理场约束下的芯片排布与功率路径3D构建。在先进的技术方案加持下，长飞先进DeepXE™嵌入式产品较传统封装形式，电流密度可提升20%、热阻Rth降低15%，杂散电感降低75%至0.9nH；体积和重量同时降低50%，整体开关损耗降低20%，为车规主驱客户直接提供了一套高功率密度、高性能嵌入式功率模块终端方案。
在AI数据中心领域，长飞先进发布的PG4E单管系列为750V及1200V的产品，与当前国内外同类产品相比，具有高可靠、低损耗的特点，性能上也更适合于AIDC这种追求极致效率的应用场景。EZ2C/3C SiC功率模块则为国内首个采用先进的扩散焊工艺的功率模块，相较传统锡焊片工艺，EZ2C的节壳热阻可降低18%，满载时芯片节温可降低25°C以上，同时EZ家族全系采用耐高温材料体系，支持SiC200°C以上的工作温度，可充分释放SiC的材料优势。并且，EZ3C还创新集成了高效SHB三电平拓扑，极大地降低了SST的系统复杂度，有助于SST长期不间断服役下的可靠性。
此外，在车规主驱及AI数据中心领域之外，长飞先进在本次技术发布会上同步推出了覆盖消费电子（881124）与工业应用的全系列产品，并重磅发布了高性能沟槽技术平台，全面展现了其在碳化硅领域的深厚积累与系统化布局。
“碳化硅作为化合物半导体（881121），在高压、大电流的功率器件场景下，性能相比硅基器件优势明显。近几年碳化硅器件成本下降速度很快，对硅基器件的替代也越快。”陈重国总结道。
从车规主驱到AI数据中心，从工业到消费（883434）、生活家电，长飞先进正以自研功率模块、芯片及单管等全矩阵产品，持续拓宽碳化硅技术的应用边界。技术迭代不止，市场蓝海可期。在新能源汽车（885431）与AI算力爆发的双重浪潮下，长飞先进正加速驶入功率半导体（881121）的黄金赛道，以先进碳化硅技术赋能产业变革新时代。
