三大利好突袭!刚刚,集体飙涨

2026-10-27 09:18:15
来源:券商中国
作者:沐阳
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问财摘要

1、日韩股市大涨,存储芯片概念股大涨。 2、芯片产业链传来多则利好消息,包括SK海力士准备公布一项规模达50万亿至60万亿韩元的额外股东回报计划,三星电子和SK海力士将于明年第二季度量产并交付8层HBM4,供应给英伟达,以及银行和另类资产管理公司为Anthropic购买博通的人工智能芯片和网络设备提供630亿美元融资。
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芯片股集体大涨!

10月27日早盘,日韩股市双双大涨。截至券商中国记者发稿,日经225(N225)指数上涨超1300点,涨幅为2.15%;韩国kospi(KS11)指数、KOSPI200指数涨超4%。存储芯片(886042)概念股大涨,SK海力士(SKHY)涨超7%,三星电子、铠侠涨超5%。

从消息面来看,芯片产业链传来多则利好消息:一是,SK海力士(SKHY)正准备于10月28日宣布一项规模达50万亿至60万亿韩元的额外股东回报计划;二是,三星电子和SK海力士(SKHY)将于明年第二季度量产并交付8层HBM4,供应给英伟达(NVDA);三是,美国银行(BAC)、黑石(BX)、花旗(C)和摩根士丹利(MS)将为Anthropic购买博通(AVGO)的人工智能(885728)芯片和网络设备提供630亿美元融资。

博通(AVGO)表示,根据协议,相关交付预计将于2027年开始。有分析指出,这笔最新交易凸显出,银行和另类资产管理公司在为支持人工智能(885728)算力需求上升所需基础设施提供融资方面,正发挥日益重要的作用。

另据韩国科技媒体ZDNet Korea报道,三星电子和SK海力士(SKHY)计划从明年第二季度起量产出货HBM48层产品。HBM4是第六代高带宽存储器,这一安排与英伟达(NVDA)的策略调整有关:为管理散热、稳定供应链,英伟达(NVDA)改变了下一代AI加速器的HBM堆叠结构,并调整了供需策略。

据报道,最初,面向英伟达(NVDA)的HBM48层并不在供应计划内,相关讨论从今年第三季度开始升温,原因是英伟达(NVDA)改变了HBM搭载策略。相关HBM用于明年推出的下一代AI加速器“Rubin Ultra”。Rubin Ultra原计划搭载第七代HBM4E12层,但英伟达(NVDA)正重点考虑一个方案,即在该芯片上并行搭载HBM48层和HBM4E8层。当前,三星电子和SK海力士(SKHY)正全力扩大明年HBM48层出货量,据悉正在准备用于制造8层产品的零部件和材料供应,同时也在准备质量测试。

此外,据《首尔经济日报》援引未具名业内人士报道,SK海力士(SKHY)准备公布一份新增股东回报方案,规模达50万亿至60万亿韩元(折合350亿至420亿美元)。叠加其近期已完成的40万亿韩元股票回购注销,这家存储芯片(886042)厂商今年合计股东回报规模将达到创纪录的100万亿韩元。受益于AI存储芯片(886042)行情,该公司业绩有望实现历史性高增,并计划通过大手笔股东回报举措,推动估值跻身全球第一梯队。

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