三星电子10月29日披露的第三季度业绩，把存储行业的分歧摆到了台面上。公司单季营收195.3万亿韩元、营业利润107.4万亿韩元，均创历史新高，并成为全球首家单季营业利润突破100万亿韩元的科技公司；净利润却低于市场预期，股价收盘下跌约4.13%。业绩说明会上，公司预计受建厂周期（883436）、设备交付与HBM工艺约束影响，存储供给紧张格局将持续至2028年，长期供应合同目标锁定60%至70%的中长期产能，2026年资本支出指引上调至84.4万亿韩元、同比增长约六成。扩产动作很大，新增产能却难在短期内转化为比特产量，这为观察A股存储链的季度盈利变化提供了背景。
兆易创新（HK3986）10月29日晚间披露的三季报，呈现了另一种“冷热不均”。前三季度公司营业收入202.97亿元，同比增长197.11%；归母净利润110.66亿元，同比增长921.55%；经营活动现金流量净额101.24亿元，同比增长463.81%。公司将增长归因于存储芯片（886042）行业供给紧张、存储产品量价齐升，以及MCU等多个产品线持续发力、出货规模增长。
单看第三季度，归母净利润与扣非净利润走向相反。第三季度营业收入87.32亿元，同比增长225.65%，环比增长约18.35%；归母净利润42.09亿元，同比增长728.93%，环比下降约22%；扣非净利润45.51亿元，环比增长约31.13%；毛利率约70.3%，环比提高约3.75个百分点。归母口径回落的关键不在主营业务，而在证券投资公允价值变动。
三季度非经常性损益为-3.42亿元，其中金融资产公允价值变动及处置等产生损益-3.53亿元；第二季度非经常性损益约为19.2亿元。非经常性损益由正转负，直接拖累归母净利润环比表现。公司2026年半年报显示，计入其他非流动金融资产的证券投资主要是联讯仪器（688808）、臻宝科技（688797）、强一股份（688809）等上市公司股权，公允价值变动计入当期损益，属于非经常性损益，公司当时已提示这部分收益后续可能波动。兆易创新（HK3986）持有的长鑫科技（688825）股权计入其他权益工具投资。长鑫科技（688825）今年7月27日在科创板上市，上市首日市值突破3万亿元，兆易创新（HK3986）持股比例约1.6%。公司表示，长鑫科技（688825）IPO产生的公允价值变动对当期及以后年度净利润无直接影响；前三季度其他权益工具投资公允价值变动计入其他综合收益430.01亿元。
存储模组厂的季度数据也在提示，行业景气不等于利润环比持续抬升。佰维存储（688525）前三季度营业收入217.17亿元，同比增长230.3%；归母净利润87.68亿元，同比增长逾287倍；第三季度营收与净利润环比均下滑。江波龙（HK9976）前三季度营业收入387.18亿元，同比增长131.37%；归母净利润143.22亿元，同比增长1909.68%。其中第三季度营业收入146.30亿元，同比增长123.74%；归母净利润37.45亿元，同比增长436.60%，环比下降约44%。江波龙（HK9976）在业绩预告中称，2026年第三季度全球存储器市场供需总体仍偏紧，但受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对盈利的边际贡献显著趋缓。
另一家模组厂商德明利（001309）第三季度营业收入116.45亿元，归母净利润27.29亿元，环比增长2.17%。今年第二季度，在佰维存储（688525）和江波龙（HK9976）业绩环比大增时，德明利（001309）净利润已先行回落，当季归母净利润环比下滑约20%。晶圆制造端，国内DRAM龙头长鑫科技（688825）预计前三季度营业收入2650亿元至2700亿元，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏。按此计算，第三季度净利润约533.95亿元至548.95亿元，相较第二季度的528.43亿元，环比增幅收窄至1%至3.9%；今年第一季度和第二季度，其净利润环比增速曾分别达到246.09%、113.4%。
NOR Flash的涨价节奏同样出现分化。集邦咨询9月中旬发布的报告显示，2026年上半年NOR Flash合约价平均累计涨幅达100%至120%，下半年则出现分化。预计256Mb及以上高容量产品下半年平均价格仍有90%至110%的上涨空间，但128Mb及以下中低容量产品涨势趋缓，预估2026年第四季度涨幅落在10%至20%之间。
供给端的紧缺判断并未被短期价格分化推翻。兆易创新（HK3986）副董事长、总经理何卫在2026年半年度业绩说明会上表示，DRAM产品下半年还会延续上涨态势，价格转为温和上行；展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，供应紧张局面不会明显缓解，行业景气周期（883436）相对较长，产品价格将高位震荡；SLC NAND Flash景气周期（883436）至少延续至2027年全年。一家市场研究机构的存储行业分析师也认为，DRAM供给将在整个2027年维持紧张，价格上涨周期（883436）有望延续至2028年上半年。头部厂商将新增晶圆产能优先倾斜至溢价更高的HBM，普通DRAM增量主要依赖制程升级，通用存储供给过剩的风险因此被延后。
三星电子的产品结构提供了另一层注脚。第三季度公司DRAM平均售价环比增长20%，NAND平均售价提高近10%；HBM4销售额环比增长超过三倍，在HBM总销售额中的占比提升至60%，公司计划2027年上半年开始量产HBM4E。高附加值产品吸纳新增产能，普通存储的供给弹性被压低。下游整机厂已经感受到成本压力，英特尔（INTC）管理层在财报电话会上提到，存储芯片（886042）价格大幅上涨，预计到2027年将成为严重问题。
对下游产业链而言，存储涨价在改善原厂和模组厂收入的同时，也在抬升PC、服务器等整机的物料成本；对市场预期而言，三星电子给出的供给紧张持续至2028年的判断，与部分模组厂第三季度利润环比回落同时存在。区分经营扣非与公允价值波动，区分价格涨幅收窄与供给绝对紧缺，比单看归母净利润的环比数字更接近存储链当下的真实图景。
兆易创新（HK3986）10月29日晚间披露的三季报，呈现了另一种“冷热不均”。前三季度公司营业收入202.97亿元，同比增长197.11%；归母净利润110.66亿元，同比增长921.55%；经营活动现金流量净额101.24亿元，同比增长463.81%。公司将增长归因于存储芯片（886042）行业供给紧张、存储产品量价齐升，以及MCU等多个产品线持续发力、出货规模增长。
单看第三季度，归母净利润与扣非净利润走向相反。第三季度营业收入87.32亿元，同比增长225.65%，环比增长约18.35%；归母净利润42.09亿元，同比增长728.93%，环比下降约22%；扣非净利润45.51亿元，环比增长约31.13%；毛利率约70.3%，环比提高约3.75个百分点。归母口径回落的关键不在主营业务，而在证券投资公允价值变动。
三季度非经常性损益为-3.42亿元，其中金融资产公允价值变动及处置等产生损益-3.53亿元；第二季度非经常性损益约为19.2亿元。非经常性损益由正转负，直接拖累归母净利润环比表现。公司2026年半年报显示，计入其他非流动金融资产的证券投资主要是联讯仪器（688808）、臻宝科技（688797）、强一股份（688809）等上市公司股权，公允价值变动计入当期损益，属于非经常性损益，公司当时已提示这部分收益后续可能波动。兆易创新（HK3986）持有的长鑫科技（688825）股权计入其他权益工具投资。长鑫科技（688825）今年7月27日在科创板上市，上市首日市值突破3万亿元，兆易创新（HK3986）持股比例约1.6%。公司表示，长鑫科技（688825）IPO产生的公允价值变动对当期及以后年度净利润无直接影响；前三季度其他权益工具投资公允价值变动计入其他综合收益430.01亿元。
存储模组厂的季度数据也在提示，行业景气不等于利润环比持续抬升。佰维存储（688525）前三季度营业收入217.17亿元，同比增长230.3%；归母净利润87.68亿元，同比增长逾287倍；第三季度营收与净利润环比均下滑。江波龙（HK9976）前三季度营业收入387.18亿元，同比增长131.37%；归母净利润143.22亿元，同比增长1909.68%。其中第三季度营业收入146.30亿元，同比增长123.74%；归母净利润37.45亿元，同比增长436.60%，环比下降约44%。江波龙（HK9976）在业绩预告中称，2026年第三季度全球存储器市场供需总体仍偏紧，但受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对盈利的边际贡献显著趋缓。
另一家模组厂商德明利（001309）第三季度营业收入116.45亿元，归母净利润27.29亿元，环比增长2.17%。今年第二季度，在佰维存储（688525）和江波龙（HK9976）业绩环比大增时，德明利（001309）净利润已先行回落，当季归母净利润环比下滑约20%。晶圆制造端，国内DRAM龙头长鑫科技（688825）预计前三季度营业收入2650亿元至2700亿元，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏。按此计算，第三季度净利润约533.95亿元至548.95亿元，相较第二季度的528.43亿元，环比增幅收窄至1%至3.9%；今年第一季度和第二季度，其净利润环比增速曾分别达到246.09%、113.4%。
NOR Flash的涨价节奏同样出现分化。集邦咨询9月中旬发布的报告显示，2026年上半年NOR Flash合约价平均累计涨幅达100%至120%，下半年则出现分化。预计256Mb及以上高容量产品下半年平均价格仍有90%至110%的上涨空间，但128Mb及以下中低容量产品涨势趋缓，预估2026年第四季度涨幅落在10%至20%之间。
供给端的紧缺判断并未被短期价格分化推翻。兆易创新（HK3986）副董事长、总经理何卫在2026年半年度业绩说明会上表示，DRAM产品下半年还会延续上涨态势，价格转为温和上行；展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，供应紧张局面不会明显缓解，行业景气周期（883436）相对较长，产品价格将高位震荡；SLC NAND Flash景气周期（883436）至少延续至2027年全年。一家市场研究机构的存储行业分析师也认为，DRAM供给将在整个2027年维持紧张，价格上涨周期（883436）有望延续至2028年上半年。头部厂商将新增晶圆产能优先倾斜至溢价更高的HBM，普通DRAM增量主要依赖制程升级，通用存储供给过剩的风险因此被延后。
三星电子的产品结构提供了另一层注脚。第三季度公司DRAM平均售价环比增长20%，NAND平均售价提高近10%；HBM4销售额环比增长超过三倍，在HBM总销售额中的占比提升至60%，公司计划2027年上半年开始量产HBM4E。高附加值产品吸纳新增产能，普通存储的供给弹性被压低。下游整机厂已经感受到成本压力，英特尔（INTC）管理层在财报电话会上提到，存储芯片（886042）价格大幅上涨，预计到2027年将成为严重问题。
对下游产业链而言，存储涨价在改善原厂和模组厂收入的同时，也在抬升PC、服务器等整机的物料成本；对市场预期而言，三星电子给出的供给紧张持续至2028年的判断，与部分模组厂第三季度利润环比回落同时存在。区分经营扣非与公允价值波动，区分价格涨幅收窄与供给绝对紧缺，比单看归母净利润的环比数字更接近存储链当下的真实图景。
