11月3日，据财闻海外资讯，SK海力士（SKHY）(SKHY.US)正考虑在英特尔（INTC）(INTC.US)在建的俄亥俄州半导体（881121）工厂内生产DRAM。此外，该公司还计划通过子公司Solidigm在纽约州新建一座NAND闪存工厂。此举旨在通过扩大美国的生产基地，构建涵盖DRAM和NAND闪存的人工智能（885728）内存供应链。
据悉，双方正探讨租赁英特尔（INTC）新奥尔巴尼工厂部分区域或成立合资企业等方案，这座俄亥俄工厂原本定位为代工晶圆厂，现已获批可生产存储芯片（886042）。《首尔经济日报》查阅美国《联邦公报》获悉，美国商务部下属的外贸区委员会已于2023年批准英特尔（INTC）在奥尔巴尼厂区申报的生产项目。其成品清单除半导体（881121）处理器之外，还包含“电子存储电路”，意味着这座工厂具备生产存储芯片（886042）的资质。
因大客户转向台积电（TSM）(TSM.US)及补贴延迟，英特尔（INTC）将该厂首期工程完工时间推迟至2030年，预计2030年至2031年间投产。与SK海力士（SKHY）(SKHY.US)合作可减轻英特尔（INTC）投资负担，后者也能缩短建厂时间并降低成本。该厂将成为SK海力士（SKHY）在美国的首座DRAM前端晶圆厂。
分析人士指出，逻辑芯片与DRAM产线在工艺和设备上存在差异，需额外资本支出和产线重新设计。鉴于美国生产成本较高，投资决策取决于美国科技巨头达成的长期内存供应协议的期限和规模。SK海力士（SKHY）表示，其DRAM和高带宽存储(HBM)产能在2029年前已基本售罄，而该厂实际投产可能在此之后，故长期协议走向为投资关键变量。
SK海力士（SKHY）相关负责人表示，关于和英特尔（INTC）合作、在美国本土生产DRAM一事，目前没有可对外证实的具体方案。
