【一周热点】长电科技高层、项目投资调整；Q4各DRAM产品价格走势如何？

近日，长电科技在人事和投资方面都做出了重大调整。

据长电科技公告披露，公司董事会同意董事长兼首席执行长（CEO）王新潮辞去CEO以及赖志明辞去总裁职务的请求，此次变动后，王新潮仍保留公司董事长职务。此外，长电科技董事会同意聘任赖志明为公司执行副总裁，安靠前高管Choon Heung Lee(李春兴)为公司新的CEO。

而就在宣布高层调整的同一天，长电科技还宣布了调整定增募投项目资金、增资星科金朋等一系列举措。

根据预案，长电科技拟向大基金、芯电半导体等非公开发行募集资金总额不超过40.5亿元（含40.50亿元），其中15.7亿元用于年产20亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目、14亿元用于通讯与物联网集成电路中道封装技术产业化项目，10.8亿元用于偿还银行贷款。

不过，由于实际募集资金净额35.9亿元少于拟投入的募集资金金额，因此长电科技对募集资金进行调整，调整项目主要是将通讯与物联网项目的拟投入募集资金从14亿元调整为9.45亿元。

与此同时，长电科技还拟通过对长电新科、长电新朋、JCET-SC、星科金朋层层增资（直接增资或债转股）的形式，投入4.79亿美元至星科金朋。

自今年第三季度以来，DRAM市场价格开始走弱，除了行动式内存价格在旺季持平开出外，绘图用内存率先出现跌价状况，而PC DRAM与服务器内存价格涨幅则缩小至1~2%。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)预计，到第四季度，DRAM价格走弱态势将更加明显，预计合约价跌幅将从原先预估的季跌1~3%，扩大至约5%。

就行动式内存方面而言，苹果的高定价策略使得分析师对新款iPhone销售转为保守，而苹果此举也难以缓解DRAM市场供过于求的态势。DRAMeXchange预估，分离式(discrete)行动式内存第四季价格跌幅约在3%，而eMCP解决方案整体跌幅可能扩大至8%。

从服务器内存市场来看，今年第三季各大厂商的供给达标率已经趋于饱和，预估第四季度服务器内存季跌幅将高于原先预期的2%，达5%左右。

至于与服务器内存产品属性较为相近的PC DRAM，在受市场供过于求以及英特尔新平台供货不足影响笔电出货的影响下，预计第四季度价格跌幅也将达到5%。

9月21日，英特尔大连非易失性存储二期项目正式投产。

2015年10月，英特尔宣布将大连Fab 68晶圆厂升级为NAND Flash快闪存储器工厂，总投资额高达55亿美元，主要用于生产NAND Flash快闪存储器。如今该工厂在三年不到的时间内即实现投产，也创造了英特尔工厂建设历史的新纪录。

在启动仪式上，英特尔宣布新工厂将采用世界最先进的96层堆叠3D NAND Flash闪存芯片制造技术实现量产。而未来，大连Fab 68晶圆厂也将成为英特尔NAND Flash的最核心生产基地。有媒体报道称，未来该工厂将为英特尔贡献约70%的产能。

根据集邦咨询此前公布的数据显示，2018年第二季度，英特尔在全球NAND Flash市场的份额仅6.6%，远低于三星、东芝、西数等竞争对手。至于大连二期工厂的投产是否能为英特尔拿下更多的市占率，还有待进一步观察。

近来，富士康在半导体领域频频布局，在短短的两个月时间内，富士康相继与珠海市和济南市达成了合作协议。9月28日，济南市与富士康正式签约，双方将共同筹建济南富杰产业基金项目。

据悉，该基金项目总规模为37.5亿元，将以产业基金的形式服务于济南市集成电路发展，主要投资于富士康集团现有的半导体产业项目。根据双方签约内容，富士康先期将促成1家高功率芯片公司和5家集成电路设计公司落地济南。

而就在上个月，富士康也与珠海市政府签署了战略合作协议，双方将在半导体设计服务、半导体设备及芯片设计等方面开展合作。

事实上，富士康自1994年开始，便低调发展半导体领域，近来更是瞄准存储器领域。据富士康半导体次集团总经理刘扬伟证实，富士康曾与台湾地区存储器大厂旺宏接触，并且已经与SK集团达成长期策略联盟合作。

目前，富士康的半导体布局已经涉及到产业链各个环节，包括IC设计与服务方面的虹晶科技和天钰科技，制造方面的夏普，IC封测方面的讯芯科技，设备方面的京鼎精密、帆宣等。

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