高通公司取得采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路专利，电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积

　　2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司取得一项名为“采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路“，授权公告号CN109478551B，申请日期为2017年6月。

　　专利摘要显示，公开了采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路。在一个方面，提供了一种标准单元电路，其采用被配置为接收第一供应电压的第一高纵横比电压轨。第二高纵横比电压轨被采用，其基本上平行于第一高纵横比电压轨被设置。第一和第二高纵横比电压轨之间的电压差用于为标准单元电路中的电路器件供电。第一和第二高纵横比电压轨每个具有大于1.0的高宽比。每个相应的第一和第二高纵横比电压轨的高度大于每个相应的宽度。采用第一和第二高纵横比电压轨允许每个电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积。