长鑫存储取得半导体存储器专利，可增加传输通道宽度，提升器件性能

　　2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法“，授权公告号CN108717947B，申请日期为2018年8月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法，该结构包括：具有有源区及沟渠绝缘结构的半导体衬底，有源区具有第一接触区与第二接触区，半导体衬底在预定列方向设有贯穿有源区与沟渠绝缘结构的沟槽，沟槽在有源区区段具有第一深度，在沟渠绝缘结构区段具有第二深度，第一深度不同于第二深度且不超过沟渠绝缘结构的深度；埋设于沟槽中的沟槽导线，沟槽包括位于有源区区段底部的微沟渠结构，微沟渠结构包括相对于有源区的区段底部再凹入的沟渠，再凹入沟渠在平行于沟槽长度延伸方向的截面为弯曲延伸，沟槽导线更填入再凹入沟渠以形成微鳍部栅极结构，微鳍部栅极结构与沟槽导线的主体为一体连接。本发明可增加传输通道宽度，提升器件性能。