东方晶源 PanGen DMC 完成验证 基于快速工艺反馈可提前发现版图潜在坏点

　　随着技术节点的演进，集成电路制造工艺本身变得越来越复杂，设计者愈发难以对工艺有全面、系统的认识，导致新产品在工艺端流片时需要反复迭代，经历长时间的 Yield Ramping，增加了投产的成本，也延长了产品面市的时间。据麦肯锡统计，目前半导体行业内新产品从导入流片到量产，大概需要 12 ~ 18 个月反复迭代，进行良率提升。

　　如果设计者能提前获得更多、更全面的工艺信息，则这个过程可以大大简化和加速，进而提升良率、降低成本。

　　东方晶源基于坚实的计算光刻平台 PanGen 和丰富的产业实践经验，创新性的开发了 PanGen DMC （Design Manufacturability Check）产品，其内嵌 D2C（Design To Contour）快速光刻反馈引擎，能够将 FAB 全套 OPC Recipe 解决方案以 AI 模型的方式进行打包，从而使用户可以基于原始 Design 快速、精准估计该 Design 最终硅片上的形貌（Contour），进而提前预知设计版图存在的潜在风险。

　　通过验证，预测误差小于 1nm

　　在国内某先进节点 FAB 内实测结果表明，东方晶源 PanGen DMC 在全芯片的尺度上预测结果与实际的差距在超过 99% 的版图位置上小于 1nm，证明其搭载的 D2C 快速光刻反馈引擎能够准确的捕捉整套 OPC Recipe 的行为，给出和完整 OPC Recipe 非常接近的 Contour 结果。

　　缺陷捕获率超过 90%

　　此外，随着工艺技术日趋复杂，仅仅靠抽象的规则很难将整套工艺的方方面面全都包括进去，因此一个设计版图在设计端通过了基于规则的 DRC（Design Rule Check）检查并不意味着其可以在工艺端有良好的表现。而

　　助力可制造性提升

　　实际上，DRC 检查只是告知一个非黑即白的是否违例的结论，一定程度的违例到底会在工艺端带来多大的影响无从得知。而

　　截止目前，东方晶源计算光刻平台 PanGen 已经形成八大产品矩阵，包括 Model、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC，具备完整的计算光刻相关 EDA 工具链条。此外，PanGen 平台既具有适用于成熟工艺节点的 OPC 优化功能，同时也是首款具有 CPU+GPU 混算构架的全芯片反向光刻（ILT）功能的掩模优化工具，