消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试生产

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　　据Chosun Biz报道，三星电子DS部门内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片设计，Foundry业务部现已根据该设计采用4nm制程启动试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的HBM4内存样品。(科创板日报)

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