攻克异质异构三维集成关键瓶颈，Micro-LED光电整合标准工艺平台建成

　　氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，是支撑Micro-LED微显示技术的核心。然而，如何将氮化镓发光单元与成熟的硅基CMOS驱动电路高效集成，长期制约着AR／VR等近眼显示产品的商业化进程。这一问题本质上涉及不同材料体系之间的三维异构集成能力。近日，这一关键技术瓶颈迎来重要突破。

　　基于8寸硅基氮化镓LED外延技术，配合成熟的无损去硅工艺，苏州汉骅半导体有限公司在其“超越摩尔GaN Plus”平台上，成功构建起与8寸CMOS半导体工艺高度兼容的Micro-LED标准工艺量产平台。该平台实现了从氮化镓外延、无损去硅、薄膜集成到CMOS工艺、微显示器件的全流程链路贯通，呈现出以三维集成为核心的平台化工艺能力，标志着Micro-LED在超高分辨率近眼显示领域的规模化应用迈出关键一步。

　　据了解，Micro-LED被誉为下一代显示技术的终极方案，尤其适用于AR／VR／MR等近眼显示场景，对像素密度、亮度、功耗和可靠性提出极高要求。传统的技术路径中，氮化镓材料与硅基CMOS背板在工艺制程、热预算、应力控制等方面存在较大差异，导致集成难度大、良率低、成本高，成为产业化的主要障碍。在键合工艺方面，汉骅半导体于2025年已实现3.75微米间距的混合键合量产，键合成品率超过95%，为高密度微显示阵列的规模化制造提供了关键工艺保障。

　　此次建成的8寸标准工艺平台，核心在于打通了材料与工艺之间的“异构集成”通道。通过自主研发的晶圆级无损去硅技术，团队实现了8寸硅片上氮化镓薄膜的完整剥离与转移，并在工艺窗口上对标主流8寸CMOS产线标准，使得发光阵列与驱动芯片能够实现晶圆级键合与协同制造。业内人士指出，这一路径不仅面向Micro-LED等具体应用，更具备向多类异构集成场景延展的通用平台潜力。这一技术路径为微米级乃至纳米级发光单元的阵列集成提供了可行的量产方案。

　　目前，该平台已具备红、蓝、绿等多波长发光结构的工艺能力，支持超高像素密度(PPI)微显示阵列的制备，可满足近眼显示、光互联、数字车灯、AI电源管理等前沿应用对核心器件的需求。平台同时面向产业开放代工与联合开发服务，提供类似半导体工艺设计套件(PDK)的标准化接口，支持从设计、验证到量产的协同创新。

　　业界分析认为，近眼显示有望成为继智能手机之后最具潜力的终端形态，Micro-LED的技术成熟与成本下探正加速这一进程。此次8寸硅基氮化镓Micro-LED标准工艺平台的建成，不仅为国内化合物半导体与集成电路的异质集成提供了可复制的技术路径，也在一定程度上体现出以工艺平台为核心的先进制造发展方向，契合后摩尔时代对系统级集成能力的需求，为下一代人机交互终端的关键部件国产化奠定了工艺基础。

　　据悉，该平台后续将持续向更高像素密度、更小像素尺寸演进，并探索多波长外延与色转换相结合的全色方案，进一步推动Micro-LED在消费电子、车载显示、特种应用等领域的规模化落地。作为长三角国创中心首个以“拨投结合”模式支持的重大项目，汉骅半导体自2017年起便专注于异质异构集成领域的前沿探索。

　　关于苏州汉骅半导体有限公司

　　汉骅半导体是成立于2017年，拥有国内唯一的“GaN Plus3DIC”全流程工艺平台，聚焦异质异构集成、新型显示、商业航天等方向，公司以化合物半导体材料为核心引擎——材料是芯片性能的根基，掌握材料方能定义性能上限；通过3DIC异质异构技术，打通化合物半导体与集成电路不同材料体系，构建通往后摩尔时代、AI时代芯片极致集成的核心底座。作为拥有完整PDK的开放型半导体代工平台，汉骅面向近眼显示、人机交互、AI电源管理、商业航天、量子计算等前沿场景提供核心芯片方案，助力下一代智能系统加速落地。