力积电：正与美光合作开发 1P 制程 DRAM 内存，预计 2028H2 量产

　　 4月22日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司(力积电、PSMC)昨日举行2026年第1季度线上法人说明会。该企业会上表示已与美光启动1P制程DRAM内存的联合研发，预计2027Q1导入设备、2028H1试产、2028H2量产。

　　 了解到，1P制程的单位晶圆产出是力积电现有工艺的2.5倍，可为力积电未来利基型DRAM业务的发展打下坚实技术基础。

　　而力积电受美光委托的PWF(后端晶圆制造)业务则预计2026Q3启动设备导入、2026Q4试产、2027Q4量产，目标月产能2万片晶圆。

　　力积电将3D AI Foundry视为重要的未来业务增长点，其高密度电容IPD(整合式被动元件)2.5D中介层已通过国际大厂认证，即将量产；WoW四层晶圆堆叠认证进程顺利，有望2027年小规模量产。

　　该企业已在今年1月上调了12英寸DDI与图像传感器代工价格，涨幅在10%以上；而在今年4月又大幅提升了NAND闪存晶圆代工的投片价格。其有望在年内完成MLC NAND工艺开发，2027H2可供客户设计定案.