挑战台积电 CoWoS：蒲得宇称英特尔 EMIB 技术良率达 90%

　　 5月1日消息，广发证券分析师蒲得宇(Jeff Pu)昨日(4月30日)在X平台发布研报，指出英特尔代工业务取得关键突破，其EMIB(嵌入式多芯片互连桥)技术良率达90%，证明该技术已为AI数据中心芯片做好准备。

　　 注：EMIB是英特尔推出的2.5D先进封装技术，通过在基板中嵌入硅桥，实现多个裸片间的高带宽互连，提供比传统封装更低的功耗和成本，是目前挑战台积电CoWoS技术的核心方案。

　　蒲得宇指出最新数据显示，EMIB良率已与FCBGA(倒装芯片球栅阵列)相当，但提供了更高的裸片间互连密度。

　　技术层面，当前存在EMIB-M与EMIB-T两个关键版本。EMIB-M专为能效设计，在硅桥中集成了MIM(金属-绝缘体-金属)电容器，通过降低噪声增强供电完整性，电力需绕过桥接路由。而EMIB-T专为高性能AI芯片打造，集成了TSV，允许电力直接穿过桥接路由，大幅提升扩展密度。

　　在扩展性方面，EMIB-T当前已支持>8xReticle尺寸，在120x120封装内容纳12个HBM芯片、4个密集小芯片及超过20个EMIB-T连接。展望2028年，英特尔计划将EMIB-T扩展至>12xReticle尺寸，在>120x180封装内容纳超过24个HBM裸片和38个以上EMIB-T桥接。