英特尔 18A-P 工艺前瞻：相比 18A 同等功耗下性能提升 9%

　　 5月1日消息，科技媒体Wccftech昨日(4月30日)发布博文，报道称英特尔为吸引外部代工客户，开始推广18A-P制程技术。相比较18A工艺，18A-P在同等功耗下性能提升9%，或在同等性能下功耗降低18%。

　　英特尔目前正在完善18A-P制程技术，并计划在6月召开的VLSI大会上公布更多细节。基于目前披露的信息，作为18A的增强版，18A-P基于RibbonFET(环绕栅极晶体管)和PowerVia(背面供电)技术，在同等功耗下性能提升约9%，或在同等性能下功耗降低约18%。

　　设计规格上，18A-P的接触栅极间距与库高度与18A一致，但晶体管选项大幅扩展。新增低功耗及高性能器件，逻辑阈值电压对从18A的4对增至5对以上，并在超低阈值电压与低阈值电压间新增选项。

　　18A-P的Skew Corners(时序偏差角)收紧30%，显著减少节点内的性能差异。同时，互连RC优化及V0-V2电阻降低，M2-M4走线调整，进一步提升信号与电源效率。

　　 注：时序偏差角指芯片制造过程中晶体管性能的统计学分布边界。收紧Skew Corners意味着减少不同晶体管之间的性能差异，确保芯片在更窄的性能范围内运行，从而提升良率与设计可靠性。

　　热管理方面，18A-P制程达成50%的热导率提升。这虽不意味着芯片运行温度更低，但能更高效地将热量传导出去，避免芯片触及热阈值而降频。