消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存

　　 5月23日消息，韩媒ZDNET Korea当地时间今日报道称，业内消息人士指出KIOXIA(铠侠)计划在2027年量产第十代BiCS FLASH产品，相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的2026年量产计划。

　　铠侠在BiCS8世代引入了CBA(注：CMOS直接键合到存储阵列)架构，解耦了NAND中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新CMOS技术的BiCS9产品已于去年出样。

　　而 BiCS10则将存储单元的堆叠层数提升到332层，以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较现有的BiCS8提升59%。