我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片

　　6月12日消息，据上海证券报今日报道，湖北江城实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。

　　据介绍，该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。

　　从报道中获悉，这款片上电容可以直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内，越靠近核心，越适合AI芯片纳秒级大电流瞬态响应，目标客户涵盖国内的CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。

　　目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。