消息称三星电子整并通用 DRAM 后端制造设施：缩短制造周期，提升实际产能

　　 7 月 27 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间今日报道称，三星电子存储器业务正整合其以华城为中心的通用 DRAM 内存后端制造设施，以缩短制造周期，提升实际产能。

　　三星电子的平泽半导体园区内同时设有 DRAM 前端和后端生产设施，这意味着前端工艺完成后的晶圆可快速进入后端制造流程。然而对于华城 DRAM 前端晶圆厂，其配套后端设施则分散于华城 H2 工厂和附近的天安园区，显然降低了生产效率。

　　三星电子计划在此前已拆除老旧生产线的华城 H1 工厂建设集中式后端生产设施。此举复用了现有的洁净室空间，能缩短建置周期。腾出的空间则可用于扩建生产线，提升实际产能。