SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术

　　8月7日消息，SK海力士在其FMS2026峰会新闻稿中确认，其继321层V9"4D NAND"后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。

　　SK 海力士宣称V10NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027H1量产基于V10NAND的企业级固态硬盘。

　　SK海力士在展示V101Tb TLC晶圆的同时还展示了两款成品颗粒：32DP2CH型号堆叠了32个NAND Die，是首款类似封装的TLC；而4通道封装版本面积仅13.5mm×12.5mm，比传统的14mm×18mm更为小巧。

　　此外，SK海力士还展示了基于V9H1Tb TLC NAND的UFS5.0解决方案UG500：其提供512GB和1TB两种容量，能效较UFS4.1改进19%。同时展出的还有基于1c nm16Gb Die的LPDDR6颗粒。

　　SK 海力士的首款性价比PCIe Gen5QLC固态硬盘PQF02也有展出。其基于V9QLC NAND，提供1TB和2TB版本，采用4通道主控，支持从2230到2280的M.2外形规格。