消息称三星电子 2026~2027 年 DRAM 投片量增长有限，SK 海力士有望缩小差距

　　 8 月 24 日消息，韩媒《ChosunBiz》当地时间今日援引 Omdia 报告表示，三星电子今明两年按晶圆投片规模计算的 DRAM 内存产能仅有小幅增长，SK 海力士有望缩小双方之间的产能差距。

　　据悉，三星电子 2025~2027 年的 DRAM 产能分别为 769.5 万片晶圆、817.5 万片晶圆、828 万片晶圆，今明两年增幅分别为 6.2% 和 1.3%。这部分增长主要来自既有产线的进一步优化。三星电子正着重提升 DRAM 工艺制程良率，并推动产线从较旧世代升级至满足 HBM4 等生产要求的 1c nm。

　　另一方面，SK 海力士的近三年产能预计分别达到 606 万片晶圆、666 万片晶圆、729 万片晶圆，今明两年增幅分别为 9.9% 和 9.5%。双方之间的差距有望从 2025 年的 27.0% 缩小至 2027 年的 13.6%。