华为余承东：极紫外光刻（EUV）设备是制造先进芯片的关键，国内目前正在研发

　　10月7日消息，华为海外X账号昨日发布了9月29日的国际媒体圆桌会议摘要。华为常务董事、产品投资评审委员会主任、终端BG董事长余承东与多家国际媒体的记者就华为消费者业务及HarmonyOS生态系统进行了交流。

　　在被问及关于AI、硬件与EUV的问题时，余承东表示，极紫外光刻(EUV)设备当然是制造先进芯片的关键。中国目前正在研发这些设备，但现阶段国内仍然依靠深紫外光刻(DUV)。逻辑折叠(LogicFolding)技术，是在获取某些技术受到限制的情况下，用来提升能力的一种方法。

　　另外，手机的主处理器需要先进制程，但手机中的许多其他部件并没有那么高的制程要求。因此，华为采用系统工程的方法，持续优化整体性能，弥补无法获得更先进制程的不足。

　　据此前报道，在10月1日的华为Mate90系列及全场景新品发布会上，华为年度旗舰——Mate90系列手机正式发布，全系搭载了韬定律芯片。

　　旗舰τ芯片：麒麟9030(Mate90)、麒麟9035(Mate90Pro)；

　　逻辑折叠τ芯片：麒麟9050(Mate90Pro Max)、麒麟9050Pro(Mate90Pro Max/RS非凡大师)。

　　根据华为官方介绍，韬定律提出了以“时间(τ)缩微”替代“几何缩微”作为半导体与电子系统演进的新指导原则——通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，从而实现半导体与电子系统的持续演进。

　　“逻辑折叠(LogicFolding)”等核心技术构建了贯穿器件、电路、芯片到系统层面的多层级协同优化体系。该体系以系统性降低时间常数τ为目标，旨在驱动各层级性能、能效、晶体管密度的持续提升：

　　器件层面：通过优化晶体管和互连电阻及寄生电容，从物理底层最大限度缩微器件级时间常数τ；

　　电路层面：通过逻辑折叠技术突破传统平面布局的物理边界，显著缩短关键路径的走线长度并有效降低信号传播的电阻和电容负载，实现晶体管密度和电路性能大幅提升；

　　芯片层面：通过“软件、架构、芯片”的全栈软硬芯协同设计，基于实际工作负载实现指令流和数据流的细粒度控制，提高系统级并行度和效率，大幅降低端到端执行时间；

　　系统层面：定义灵衢总线，重构计算系统互联协议，实现超节点的统一内存编址和原生内存语义，大幅降低系统通信时延。

　　值得一提的是，预计到2031年，基于韬(τ)定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。