DRAM投产，国产“芯”突破的第一步

　　9月20日，合肥长鑫宣布投产12英寸DRAM生产线，成为我国第一颗自主研发的19nmDRAM芯片，公司表示投产的8GbDDR4通过了多个国内外大客户的验证，预计今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品LPDDR4X也即将投产。我们认为长鑫存储DRAM宣布量产，是国产“芯”突破的第一步，不断提升良率和产能是大规模量产的关键，加快缩小与三星、海力士、美光等国际存储大厂的技术差距。

　　受益多行业变化，NORFlash经历“V型”反转

　　伴随着功能手机市场的逐渐衰退，NORFlash行业整体规模大幅度下降，根据Gartner2017年相关数据指出，2006年NORFlash市场规模超过70亿美元，至2016年下滑至20亿美元规模以下，但是受益于智能手机“TDDI+AMOLED+摄像头”升级与创新，TWS耳机的快速增长，同时声学、物联网、汽车电子等多行业持续发酵，NORFlash由于读取速度较快等特征重回增长态势。

　　投资建议

　　我们预测公司2019~2021年的收入分别为30.85亿元、44.36亿元、57.03亿元，同比增速分别为37.37%、43.79%、28.56%；归母净利润分别为4.56亿元、6.88亿元、8.24亿元，同比增速分别为12.48%、50.92%、19.81%；对应EPS分别为1.42元、2.14元、2.57元，对应PE分别为104.34倍、69.13倍、57.7倍。估值方面，公司历史PE处于40~150倍之间，鉴于公司作为国内存储龙头企业，带领中国存储“芯”跨出重要一步，给予公司2020年80倍PE，目标价为171.2元，首次覆盖，给予“买入”评级。

　　风险提示

　　DRAM产品突破低于预期，存储行业依然疲弱，价格压力较大；NORFlash产能扩充低于预期，行业竞争加剧带来毛利率下滑，客户拓展低于预期；思立微新产品突破低于预期