事件：小米发布GaN65W充电器；台积电与意法半导体合作开发GaN制程技术。

　　GaN商用化加快，快充头有望成为杀手级应用。小米此次发布的GaN充电器采用纳微（Navitas）半导体的GaNFast功率IC，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，仅需45分钟即可对Mi10PRO进行0至100％的充电。售价上首次低于150元，凸显的性价比有望赢得消费者青睐，且带动行业应用，据产业链调研了解，全球手机龙头厂商如华为、三星、苹果等都在布局GaN技术，相关产品短期内将迎来一波上市潮。随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

　　GaN材料因其高频、高效率、耐高压特性，在光电/功率/射频领域应用广泛。GaN材料是宽禁带半导体材料的一种（详见报告《宽禁带半导体行业深度：SiC与GaN的兴起与未来》），相较于Si材料，GaN更耐高温，拥有更高的功率密度输出；相较于SiC材料，GaN更适合用于高频场景，且拥有更大的成本下降潜力。GaN材料应用主要有三个方面，光电领域应用于LED、激光器等，已经较为成熟；电力电子领域应用于快速充电器、充电桩、变频器，包括新能源汽车逆变器及车载充电器等，即是小米与意法半导体着力开拓的领域；微波射频领域应用于功率放大器、基站射频、军工射频等，特别适合高频信号，随着5G商用，GaN材料将首先在基站领域渗透，未来待成本下降后有望进入更多终端，成为5G关键材料之一。

　　国内GaN产业链加紧布局，迎来成长机遇。GaN产业链按环节分为Si衬底（或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石）→GaN材料外延→器件设计→器件制造。目前产业以海外企业为主，国内企业在衬底外延和设计制造领域都逐渐开始涉足，如GaN衬底制造厂苏州纳维、东莞中镓；GaN外延制备商苏州晶湛；GaN-on-Si制造企业英诺赛科、耐威科技；GaN晶圆代工企业海特高新；GaNIDM企业三安集成（三安光电）、安世半导体（闻泰科技）等。随着技术方案成熟以及终端放量，国内GaN产业链有望迎来长足发展，相关企业将获得技术渗透带来的红利。根据我们测算，仅考虑GaN在基站射频及快充头的应用，行业空间就在百亿美金以上，目前正处于渗透早期。

　　投资建议：建议重点关注上市公司三安光电、耐威科技、海特高新、闻泰科技（通信组覆盖）等。三安光电旗下子公司三安集成已经能提供成熟的GaN射频/功率代工工艺，在国内产业链中占据重要地位。耐威科技旗下子公司聚能晶源已成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”，相关项目一期已于2019年9月投产。海特高新具备六英寸GaN代工能力，主要布局硅基GaN。闻泰科技具备GaN器件制备能力，在车用GaN器件领域拓展迅速，处于行业第一梯队。同时关注其他功率半导体企业及LED芯片企业在GaN材料的延伸布局。

　　风险提示事件：GaN技术方案进展缓慢；成本下降不及预期；新材料的替代。