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从功率半导体行业变革看安世长期价值
内容摘要
  5G启动万物互联,在新智能终端、产业Iot、车载电子化与能源设施智能化带动下,对功率半导体新需求迭出。过去三年功率器件市场总规模、出货量和ASP全面上行,总量供不应求已是常态。新场景下高电压、高频率、低损耗、低成本和高可靠性驱动技术变革,龙头厂商纷纷加大新器件和材料的探索。安世半导体技术积累深厚,资产实力强大,有望乘势发展为功率半导体领军者。

  功率半导体是分立器件最主要部分,是实现电能转换和电路控制的核心。分立器件是IC未集成的元器件总称,电路因其实现了低成本和易设计,在半导体中居于独特地位。过去几年分立器件快速增长,总规模、出货量和ASP出现了历史少见的全面上行,显示出行业整体的供不应求已成为常态。功率半导体就是其中比重最大和发展最快的部分,对于各类设备的电能转换和电路控制地位至关重要。消费电子、车载电子化、产业能源和通信等场景变迁,功率器件在总规模持续向上的同时,应用领域也在向这几个场景发生迁移,其中最主要品类功率管,也正应对新需求演变出更多品类和技术路线,未来几年功率器件市场将持续快速增长,竞争格局也在发生深刻变化。

  多场景下的新需求变迁,带动新器件与新材料发展融合,龙头厂商加大创新把握机遇。经过多年演变,MOSFETs成为功率半导体主流器件形态,广泛应用在较高电压和高频率场景,IGBTs则在高压和频率较低的供能系统占据主导。设计和工艺带动性能提升,两者在部分电压和频率区间出现交叠,超接面SJMOSFETs与IGBTs在覆盖消费电子、供能控制、车载电子等关键领域展开了竞争,在细分场景中各有优势。随着硅基器件的发展趋近成本效益临界点,诸多头部厂商围绕SiC和GaN等复合半导体材料进行探索,两者具备宽禁带、低寄生电容、低功率损耗等特性,迅速在高压高频率等新场景下发展壮大。虽然当前成本较高,但引入的系统效能提升十分可观。随着需求牵引力加大,新材料器件将通过规模化实现低成本。龙头厂商纷纷投入新器件和材料,市场马太效应正在强化。我们预计车载、消费和能源能方向在供需匹配磨合和技术探索中将酝酿重大机遇。

  全球领先的分立器件IDM厂商安世半导体,基于全面优势乘势布局,长期价值有望站上新台阶。作为国内唯一规模化的分立器件IDM厂商,安世正着力向全球魁首的目标布局。其在二极管晶体管、逻辑器件等领域已有扎实基础,MOSFETs比重相对较低,成长迅速空间庞大。基于强大技术实力和资本地位,公司延伸新器件和新材料布局,GaN产品已有实质性突破,在新终端、车载电子化和供能智能化打开的新增量带动下,功率器件部分有望持续规模和份额的快速增长,产品结构更多向高端器件转移。其产品也将和强调自主可控的国内客户形成密切协同,长期看安世有望站上价值新台阶。

  投资建议:考察手机业务,预计2019-2021年利润为13.61、18.15和25.13亿元。预计安世半导体2019年净利润为13.5亿元、2020年净利润为16.5亿元、2021年净利润为20亿元。预计2020年合并后净利润为31.35亿元,预计2021年合并后净利润为41.13亿元。目前市值为1565亿元,对应2020年PE为50x。我们维持买入评级,建议长期战略性配置。

  风险提示事件:业务整合风险、5G智能手机和物联终端上量不及预期风险、半导体需求下滑的风险、技术路线和竞争风险、市场系统性风险。