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非公开发行点评:定增落地,DRAM研发打开想象空间
内容摘要
  事件:

  6月4日晚,兆易创新公告非公开发行情况。本次实际发行数量21,219,077股,发行价格203.78元/股,锁定期为6个月。认股资金总额4,324,023,511.06元,扣除发行有关费用实际募集资金净额为4,282,437,455.32元。

  点评:

  公司简介:公司主营业务为闪存芯片(NORFlash和NANDFlash)、微控制器(MCU)及2019年新增加的指纹传感器,是目前国内领先的闪存芯片设计企业。据第三方统计,2018年,公司保持中国IC设计行业收入排名前十;闪存产品全球销售额排名第十位;NORFlash全球销售额排名第五位,市占率为10.9%;串行NORFlash全球销售额排名第三位。MCU国内销售额排名第三位,市占率为9.4%,前两名为意法半导体和恩智浦。

  本次发行后公司前两大股东未变。第一大股东仍为公司董事长朱一明,持股比例由10.01%变为9.56%;第二大股东仍为大基金,持股比例由8.72%变为8.33%。本次发行后,公司的控股股东和实际控制人未发生变化。

  本次募集资金用于DRAM芯片研发及产业化项目,补充流动资金。根据非公开发行预案,拟投入补充流动资金的募集资金金额为10亿元。剩下部分投入DRAM芯片研发及产业化项目,拟研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。新增DRAM产品线能丰富公司存储器产品种类,显著提高公司可持续发展能力,增强国际竞争力。

  DRAM产品需求广阔,市场增长强劲。随着数据量的指数增长,5G、IoT等新基建及搭载其上的新经济对作为最主流存储产品的DRAM的需求愈发广阔。根据赛迪顾问的报告,预计至2021年,中国DRAM市场规模将达到4,505.70亿元,占据中国DRAM市场主导地位的移动型DRAM市场规模2019年至2021年年均复合增长率将达到27.99%,服务器型DRAM市场规模2019年至2021年年均复合增长率约为31.60%。

  DRAM市场高度垄断,自主可控亟待突破。中国为最大DRAM市场,但几乎全部依赖进口。三星、海力士、美光三家企业约占中国DRAM市场的98%。寡头垄断的格局使中国企业对DRAM芯片议价能力很低,也使DRAM芯片成为受外部制约最严重的基础产品之一,自主可控亟待突破。

  公司DRAM管理团队及核心团队经验丰富。DRAM项目现有的主要管理团队经验丰富,核心团队成员从事芯片行业平均超过15年。DRAM产品研发、运营模式对标国际一流水平,坚持市场化方向。

  投资建议:NorFlash方面,5G和IoT(包括可穿戴、智能家居等)等技术领域驱动本轮上行周期,中长期预计将有持续增加的需求,TWS等细分领域有望量价齐升。DRAM方面,定增落地,获得蓝铂世DRAM专利授权将提升技术实力。中短期,NorFlash供应偏紧,公司产品结构改善,新品陆续放量,产品综合竞争力有望增强。中长期,NorFlash需求预计持续增加,DRAM市场空间巨大。建议中长期关注。

  风险提示:疫情蔓延风险;贸易战风险;行业景气度下行风险;行业竞争加剧风险;技术发展不及预期风险;收购及整合进度不及预期风险;汇率风险;保留合适的安全边际等