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新能源汽车加速渗透,投资车规级SiC项目
内容摘要
  事件概述

  公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内,投资建设全碳化硅功率模组产业化项目,本项目计划总投资2.29亿元,投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心,项目将按照市场需求逐步投入。

  新能源汽车加速渗透,加大SiC模块投入

  依据公司2020年12月17日公告,2020年下半年开始欧洲新能源汽车呈现快速增长,中国新能源汽车月产销量创新高,新能源汽车整体加速渗透。2020年11月国务院印发《新能源汽车产业发展规划(2021—2035年)》中明确提出,2025年,我国新能源汽车新车销量占比达到25%左右,按此测算,2025年我国新能源汽车销售将超过640万辆,2021-2025年我国新能源汽车年均增长率将在30%以上。SiC器件高温、高效和高频特性是实现新能源汽车电机控制器功率密度和效率提升的关键要素,预计汽车级碳化硅功率模组的市场需求将在新能源汽车市场带动下实现快速增长,本项目实施后,将进一步提升公司在汽车级全碳化硅功率模组的技术水平,进一步加强与终端品牌客户的合作交流。

  毛利率逐渐提升,加大研发投入

  从毛利率角度看,公司2020年Q3毛利率为33.41%,创2019年以来历史新高。公司自研的IGBT芯片及快恢复二极管芯片,采取Fabless模式,专注于芯片设计并加快芯片开发速度,同时公司在IGBT模块封装领域足具竞争优势,为公司进一步拓展新的应用领域奠定坚实的基础。公司不断加大自研比例,提升研发能力,进一步缩小与国际主流厂商的差距。功率半导体相对于集成电路进口替代的难度系数较低,且国内产业链配套经过多年的技术积累和沉淀已逐渐成熟,在核心零部件加速国产化过程中,公司作为IGBT模块龙头企业有望步入黄金发展赛道。此外,公司重点布局新能源汽车领域,公司在此领域投入了大量研发经费,未来包括募集资金投资项目在内仍将继续加大该领域投入,我们预判随着新能源汽车的加速渗透以及国产化配套的迫切需求,公司未来增长可期。

  投资建议

  我们维持此前盈利预测不变,预计2020~2022年公司营收为9.50亿元、12.50亿元、15.60亿元;预计实现归属于母公司股东净利润为1.78亿元、2.57亿元、3.40亿元。鉴于公司在IGBT设计/封测领域的领先地位及未来成长空间足,维持“买入”评级。

  风险提示

  IGBT芯片、快恢复二极管芯片及IGBT模块的技术门槛高、技术难度大、资金要求高,存在产品研发进展低于预期风险、技术泄密风险等。