前往研报中心>>
公司点评:国内IGBT龙头,景气度持续
内容摘要
  事件:斯达半导拟在现有厂区内,投资建设全碳化硅功率模组产业化项目,本项目计划总投资22,947万元,投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心,项目将按照市场需求逐步投入。

  新能源汽车加速渗透,车规级SiC有望发力。2020年11月国务院印发《新能源汽车产业发展规划(2021-2035年)》中提出,2025年,我国新能源汽车销量占比达到25%左右,据此估计2025年我国新能源汽车销售将超过640万量,2021-2025年我国新能源车年均增长率将在30%以上。SiC功率模组作为第三代半导体功率器件,具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等优点,其特性有利于实现系能源汽车电机控制器功率密度和效率提升。目前,SiC器件成本非常高,主要的原因在于衬底贵,目前衬底成本大约占50%,外延片占25%,器件晶圆生产环节20%,封测环节5%,国内厂商还需要持续进行研发和资本投入,进一步提升在SiC领域的技术水平。

  国内IGBT行业龙头,市场份额逐步扩大。公司成立以来一直专注于IGBT研发、生产和销售。公司IGBT模块的主要客户群体为工业控制及电源、新能源和变频白色家电等行业,公司产品也逐步在导入新能源汽车、光伏、风力发电等行业。随着公司的技术不断进步,2016年、2017年、2018年和2019年1-6月,发行人自主研发的IGBT及快恢复二极管芯片采购数量占当期IGBT及快恢复二极管芯片采购总量比例分别为31.04%、35.68%、49.02%和54.10%。公司跻身在国内汽车级别IGBT模块的主要供应商之列,有望在新能源车市场上持续扩大市场份额。

  盈利预测与投资评级:预计2020-2022年公司净利润分别为1.89亿元、2.75亿元和3.48亿元,EPS分别为1.18元、1.72元和2.18元,对应PE倍数为227、156和123倍。考虑公司潜在风险以及未来的预期,给予“谨慎推荐”评级。

  风险提示:公司经营不及预期,技术推进不及预期。