SiC衬底价值量最高，技术进步有望迎来成本下降。SiC材料耐高温、耐高压、低导通电阻、高频等特性显著优于Si。SiC衬底价值量在SiC器件中占比最高，未来发展趋势是晶圆尺寸增加（目前4-6英寸过渡，领先厂商扩产8英寸）、主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。

　　汽车电子驱动SiC需求，我们测算中期汽车逆变器需求弹性中枢可带来70~80亿美元市场！SiC功率器件已经历从PFC电源到光伏的应用发展，未来十年新能源汽车、充电设施、轨道交通等将是主要推动力。根据Yole，到2025年新能源汽车用SiC功率器件市场规模将达到15.5亿美元，2019-2025年CAGR38%，充电桩增速更是高达90%。特斯拉Model3和国内比亚迪汉已率先在电机控制器中应用SiC模块。我们对新能源车用SiC需求规模弹性进行测算，预计中期仅逆变器对SiC需求就有望打造70~80亿美元市场，车用SiC黄金十年即将开启！全球龙头科锐战略转型聚焦第三代化合物半导体。科锐近两年先后剥离照明及LED产品业务，未来五年10亿美元扩产SiC等三代半核心业务。科锐具备SiC垂直产业链能力，SiC衬底全球市占率近60%，2022年有望率先实现8英寸SiC晶圆量产。科锐具有1）专利优势；2）规模优势；3）技术优势；4）车规级产品认证壁垒，并且科锐全产业链模式有利于加快研发及产业化，加速扩产、把握品控、提升交货力，巩固市场地位。

　　三安光电是全球领先的第三代化合物半导体平台，采用垂直产业链模式。大规模投资SiC，打造国内领先平台。2014年三安光电成立三安集成，布局化合物半导体；2017年投资南安项目；2020年长沙投资SiC项目。长沙SiC项目涵盖长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。

　　三安光电长沙160亿加码SiC，垂直布局产业链。三安集成目前已形成SiC垂直产业链布局。2018年推出SiC二极管，目前已完成650V到1700V布局。2020年6月三安公告在长沙投资160亿SiC项目。2020年8月，湖南三安拟收购北电新材，北电新材具有衬底及外延技术储备。2020年12月，公司成为国内首家完成SiCMOSFET器件量产平台打造的厂商。国内外SiC仍有差距，三安集成SiC垂直产业链布局，有望缩小差距、加速产品落地、推动国内SiC产业链发展。

　　三安光电SiC从二极管到MOSFET，产品线覆盖逐渐增强，同时联手家电、新能源车企业，推进产业应用。三安光电SiCSBD/MPS量产器件已较为成熟，SiCMOSFET也已推出，产品线逐渐铺全。公司与美的达成战略合作，并成立联合实验室；格力入股三安光电，未来有望在空调领域加强合作；三安集成与金龙新能源签订战略合作，有望加速汽车业务导入。

　　三安光电作为化合物半导体龙头企业，MiniLED放量在即。在砷化镓、氮化镓、碳化硅及滤波器等半导体业务深度布局，各产品线取得明显进展。我们认为三安大力加快SiC垂直产业链布局，具备技术、资金优势，产品具备国际竞争力，未来将受益于新能源汽车等需求爆发。我们预计公司2020E/2021E/2022E年将实现归母净利润13.50/22.13/34.09亿元，对应2020E/2021E/2022E年PE为66.4x/40.5x/26.3x，维持“买入”评级。

　　风险提示：化合物半导体进展不及预期，下游需求不达预期，行业竞争加剧风险。