相比于晶体硅太阳能电池，HJT最大特点就是需制备TCO薄膜。由于a-Si:H薄膜的导电性很差，通常需要在a-Si:H薄膜表面制备一层薄膜用来收集光生载流子并将其输运到金属电极上。同时，迎光面的该薄膜还必须具备减反射功能，降低电池的表面光反射损失。因此，该薄膜既要有较好的导电性，又要有较高的透过率。通常情况下，导电材料的光透过性能差，透明的氧化物导电性能较差，而TCO是一种同时具有导电性和透光性的半导体。目前主流制备方法是（PVD）磁控溅射法（靶材是ITO），以及(RPD)反应等离子沉积法（靶材是IWO）。

　　PVD方案成熟，RPD效率更优，异军突起。

　　（PVD）磁控溅射法沉积速率高，重复性好，可在大面积衬底上均匀成膜，是目前技术成熟度最高、应用最广泛的ITO薄膜制备方法。目前设备的供应公司主要有德国冯阿登纳公司、MeyerBurger公司、Singulus公司、钧石能源公司、Ulvac公司等。但由于异质结电池本身薄片化特性，其非晶硅薄膜厚度在10nm左右，PVD在镀膜过程中，等离子轰击会造成电池性能下降或不稳定。

　　因此日本住友开发了RPD设备，该设备的主要特点是利用特定的磁场控制等离子体的形状，从而产生稳定、均匀、高密度的等离子体。RPD设备镀膜时的高能轰击离子很少，这就减小了非晶硅表面的损伤，提高了少子寿命，其镀制的TCO膜制备的HJT电池的光电转换效率比采用PVD法的高0.3%-0.4%。日本住友公司于2019年将中国区域的RPD设备制造和销售权转让给捷佳伟创公司，目前RPD设备制造商仅有日本住友、捷佳伟创、精曜科技。

　　RPD效率低成本高难题横亘，PAR或成破冰者。RPD设备大规模量产主要有靶材利用率低，成本较高，自下而上镀膜导致的产能低等。为了克服这些缺点，捷佳伟创提出正面RPD镀膜+背面PVD镀膜的方式（PAR），不仅提高经济性，还可以解决电池翻片问题，提高效率。未来，该技术或许可以更大幅度地增加产能，从而降低镀膜成本，值得期待。

　　投资建议：电池新技术有望重构电池竞争格局，建议投资者积极关注新电池技术的进展及产业化推进节奏，建议积极关注在HJT积极进行技术储备及产业化的隆基股份、通威股份。

　　风险提示：光伏需求不及预期、技术推广不及预期