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高性能功率器件龙头,汽车电动化和工业4.0驱动长期成长
内容摘要
  功率半导体是电力电子核心器件,新能源节能降耗和工业升级推动市场空间越发广阔

  根据Omida预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美金。在碳中和背景下,新能源车、光伏、风电、储能等领域市场快速发展,相应的功率半导体市场快速增长。从竞争格局来看,功率半导体芯片和模块,主要市场被英飞凌、安森美、意法半导体等欧美厂商占据,全球龙头英飞凌2020年在MOSFET和IGBT领域市占率分别为24.4%和29.3%,单一本土厂商占比均小于5%,国产替代空间巨大,叠加行业内生的快速增长,中国厂商尤其高性能器件的本土公司将在庞大的蓝海市场充分成长。

  聚焦高性能功率器件,器件结构创新的领航者

  基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力,公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一,是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一,还是国内少数具备器件创新结构能力的公司,公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位,公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品(TGBT)已量产出货,未来将在高压市场大幅成长。公司高压超级节MOSFET收入占比超过80%。据Omdia数据,在中国本土厂商中,2019年公司MOSFET销售收入位列第7位。下游应用方面,公司以工业级应用为主,包括新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。2022年公司实现营收7.82亿元,同比增长153.28%,实现归母净利润1.46亿元,同比增长429.12%。公司未来将持续受益于5G通讯、汽车电动化等工业级及车规级应用领域迅速扩张带来的高性能功率器件市场快速发展。

  布局高速率IGBT和SiC等高阶产品带来长期成长

  公司IPO资金将用于继续强化已有的功率半导体器件业务以及开发新品类功率半导体产品,分别在超级结与屏蔽栅功率器件产品升级、新结构功率器件研发及产业化、研发工程中心、科技与发展储备资金四个方面分别投入资金2.04/1.08/1.7/4.57亿元,前三个项目建设周期为3年。

  公司在超级结与屏蔽栅器件方面继续加大投入和提升,可以看到未来在现在产品基础上,超级结和屏蔽删MOS性能和品类将进一步提升。5G基站、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器等领域高性能功率器件的需求一直很旺盛,并且行业对更高效率更高可靠性器件的追求从未止步,这也符合公司长期的发展战略,公司在创新结构的高速率IGBT和超级硅MOSFET方面已经技术成熟并且实现量产,未来三年将在相关的市场快速崛起并取得长足的发展。随着充电桩,新能源车等领域对第三代半导体需求逐步兴起,公司在SiC以及新型硅基高压功率器件方向也将进行技术储备,凭借公司在高功率器件方面的扎实研发能力将在未来三年实现快速突破并实现更多产品线的量产,打造公司第二成长曲线。

  盈利预测

  预计公司2021-2023年收入分别为7.82、11.77、16.33亿元,EPS分别为2.9、3.79、5.09元,当前股价对应PE分别为66、50、37倍,给予“推荐”投资评级。

  风险提示

  供应商高度集中的风险;下游需求不及预期;上游大幅提价的风险;募投项目进度不达预期的风险等。

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