日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)近日公布了一项极紫外(EUV)光刻技术的创新成果。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机（886054）的十分之一，同时显著提高了设备的可靠性与使用寿命。

图片来源：OIST官网

新EUV光刻技术的核心投影仪能将光掩模图像转移到硅片上，它由两个反射镜组成，就像天文望远镜一样。团队称，这种配置简单得令人难以想象，因为传统投影仪至少需要6个反射镜。但这是通过重新思考光学像差校正理论而实现的，其性能已通过光学模拟软件验证，可保证满足先进半导体（881121）的生产。团队为此设计一种名为“双线场”的新型照明光学方法，该方法使用EUV光从正面照射平面镜光掩模，却不会干扰光路。

这一突破性的技术已申请专利，预计将为全球EUV光刻市场带来重要经济效益。