A股今日再度集体上涨，截至收盘，沪指涨0.05%录得14连阳，深成指（399001）涨0.06%，创业板指（399006）涨0.31%，北证50指数涨0.22%，沪深京三市成交额28815亿元，较上日放量493亿元，三市超3100只个股下跌。
ETF收盘涨跌不一，半导体设备ETF广发（560780）(560780)领涨7.82%，科创半导体ETF鹏华(589020)涨7.67%，半导体设备ETF易方达（159558）(159558)涨7.61%。
通用航空ETF基金(159230)领跌4.39%，港股通互联网ETF(159792)跌2.56%，港股互联网ETF(513770)跌2.54%。
2025年12月底，国内半导体（881121）行业密集推进重大并购重组（885739）。中芯国际（688981）拟以406.01亿元收购中芯北方49%股权；次日，中微公司（688012）宣布收购杭州众硅64.69%股权，华虹半导体（HK1347）同步计划收购华力微97.4988%股权。
各代际DRAM产品在12月均延续涨势， DDR4因原厂持续将产能转向利润更高的DDR5和HBM，供应持续减少，供需缺口仍然存在，推动8G和16G产品价格持续上涨。12月以来，存储芯片（886042）价格快速上涨已传导至终端产品，近期戴尔计划提价，其背后是全球AI数据中心建设对存储芯片（886042）的强劲需求，CFM预计2026年一季度服务器DDR5涨幅超40%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%-35%。摩根大通（JPM）预测2026年晶圆制造设备(WFE)支出将增长10%-12%，并持续至2027年。近期主要DRAM制造商美光科技（MU）计划在日本进行大规模投资，引发了半导体（881121）生产设备(SPE)制造商的大量询盘，相关设备和材料市场的整体回暖。
本届CES展上，芯片与存储产业链亮点纷呈，英伟达（NVDA）正式推出整合六款全新芯片的Rubin AI平台，其HBM4内存带宽较前代提升2.8倍，单GPU NVLink互连带宽翻倍；SK海力士首次亮相16层48GB HBM4产品，同步展出适配AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2及LPDDR6通用存储器，通过定制化HBM架构等创新技术，针对性解决AI场景下的数据传输瓶颈。AMD与英特尔（INTC）也同步发力，AMD推出性能提升10倍的MI455XAI芯片，英特尔（INTC）发布首款18A工艺酷睿Ultra3系列处理器，均强化了对高带宽、大容量存储的配套需求。
中银证券（601696）认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。
财通证券（601108）指出，AI需求带动存储器芯片需求，对DRAM的消耗不再局限于HBM和DDR5，还正拓展至LPDDR和图形DRAM领域。2025年下半年，LPDDR的整体价格涨幅超50%。中国存储产业的双引擎长江存储和长鑫存储奋力破局，另一方面，国内上市公司也积极推进国产设备研发。
