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中信建投:AIDC电源革命正式开启 电源主机、储能等四大方向有望共振
2026-01-15 16:37:18
来源:智通财经
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中信建投(601066)发布研报称,AI供电方案的根本驱动力是单芯片和单机柜功率的不断提升,目前以英伟达(NVDA)(NVDA.US)为首的AI芯片厂商不断迭代升级其最新AI芯片的功率。通过NVL72(英伟达(NVDA))、Superpod(谷歌)等多芯片设计,单机柜功率进一步向MW级迈进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。根据产业趋势优先,兼顾弹性和公司α,AIDC电源主机、电站级储能(885921)、核心增量零部件以及GaN、SiC等第三代半导体(885908)四大方向值得关注

中信建投主要观点如下:

AI供电方案的根本驱动力是单芯片和单机柜功率的不断提升

英伟达(NVDA)为首的AI芯片厂商不断迭代升级其最新AI芯片的功率。英伟达(NVDA)已从Maxwell时代单颗芯片250W提升至B200芯片的超过1000W;谷歌、微软(MSFT)Meta(META)等自研芯片也向单颗1000W以上迈进。通过NVL72(英伟达(NVDA))、Superpod(谷歌)等多芯片设计,单机柜功率进一步向MW级迈进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。

大功率化、高压化、直流化是AIDC电源迭代的主要方向

英伟达(NVDA)发布的800V供电白皮书给出了交流→800V直流(低压整流器过渡)→800V直流(HVDC sidecar方案)→SST(固态变压器)的清晰迭代路径。同时OCP组织通过多批标准的迭代也确立了±400V的供电标准。但两者目的均是通过直流供电实现MW级机柜功率,也认可SST作为终极的供电方案。

从无到有,从小到大:供电方案迭代带来了哪些变化和增长?

从产品形态来看,集成多种设备和功能的HVDC Sidecar、SST主机能够实现一步降压、交直转换、备电和电能质量改善等多种功能。而其研发的关键难点在其中的功率变换模块(PSU)、高频隔离变压器等;从技术基础来看,第三代宽禁带半导体(881121)如SiC、GaN是电源能够实现高电压、高效率、高变比输出的关键,同时电路拓扑的设计对公司研发实力要求高。

从增量环节来看,采用高压直流供电后需增设机柜内固态断路器、DC/DC电源、电子熔断器、垂直供电VPD等环节,同时为了保证供电可靠性和电能质量CBU、BBU也成为必须。而储能(885921)则成为解决美国电力(AEP)缺口和数据中心并网危机的最主要选择。

投资建议:产业趋势优先,兼顾弹性和公司α,以下四大方向值得关注

(1)AIDC电源主机(PSU、HVDC、SST):阳光电源(300274)(300274.SZ)、麦格米特(002851)(002851.SZ)、欧陆通(300870)(300870.SZ)、金盘科技(688676)(688676.SH)、思源电气(002028)(002028.SZ)、伊戈尔(002922)(002922.SZ)、科士达(002518)(002518.SZ)、科华数据(002335)(002335.SZ)、中恒电气(002364)(002364.SZ)、新风光(688663)等(688663.SH);(2)电站级储能(885921)阳光电源(300274)、CSIQ(CSIQ.US)、fluence energy(FLNC)(FLNC.US)等。

(3)核心增量零部件(固态断路器、电子熔断器、CBU/BBU、DC/DC、高频隔离变、VPD等):良信股份(002706)(002706.SZ)、蔚蓝锂芯(002245)(002245.SZ)、Vicor(VICR) Corporation(VICR.US)等;(4)GaN、SiC等第三代半导体(885908)

结合公司α、业务弹性和进展,推荐阳光电源(300274)麦格米特(002851)欧陆通(300870)良信股份(002706)金盘科技(688676)等。

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