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黄仁勋喊话DRAM厂尽管扩产,存储芯片概念持续活跃
2026-03-10 10:19:59
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问财摘要

1、存储芯片概念持续活跃,广合科技涨超7%。 2、黄仁勋表示内存供给短缺对英伟达是好消息,并向DRAM厂商喊话。 3、三星电子计划在2025年第二季度再次上调NAND产品供应价格,涨幅预计与今年第一季度持平。 4、开源证券表示,三星DRAM合约价单季翻倍,缺货行情或持续至2028年。 5、AI需求引领,NAND供不应求持续。
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文章提及标的
利扬芯片--
摩根士丹利--
英伟达--
广合科技--
太极实业--
存储芯片--

3月10日,存储芯片(886042)概念高开,盘中持续活跃,广合科技(001389)涨超7%,太极实业(600667)利扬芯片(688135)商络电子(300975)等跟涨。

据财联社,在近期举办的摩根士丹利(MS)科技大会上,英伟达(NVDA)首席执行官黄仁勋公开表示,当前内存供给短缺对英伟达(NVDA)而言是极好的消息,该情况可让客户直接选择性能最强的解决方案。黄仁勋同时向全球DRAM厂商喊话:“存储器厂产能扩多少,英伟达(NVDA)就会用多少。”

近期,韩媒称,三星NAND闪存Q2计划再度涨价。3月8日消息,媒体援引韩国媒体韩媒Sedaily报道,近期,全球NAND闪存市场迎来持续涨价潮,市场份额位居首位的三星电子宣布计划在2025年第二季度再次上调核心NAND产品供应价格,上调幅度预计与今年第一季度持平,引发行业广泛关注。

据了解,三星电子已在今年第一季度将NAND闪存产品价格较上一季度上调约100%。若第二季度延续相同涨幅,其NAND产品价格较去年年底将累计上涨约200%。业内人士表示,尽管不同客户的最终成交价格或存在小幅差异,但三星此次确定的整体涨价幅度基本不会出现明显变动。

开源证券表示,三星DRAM合约价单季翻倍,缺货行情或持续至2028年。三星电子已完成一季度DRAM供货价格谈判,服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%,价格较去年四季度实现翻倍。此外,据Gartner预测,到2026年底包括DRAM和SSD在内的存储器价格预期涨幅将达130%。AI算力旺盛需求与产业国产化驱动下,涨价潮正快速兑现为业绩。3月3日佰维存储(688525)发布业绩预告,预计2026年1-2月实现归母净利润15亿至18亿元,同比增幅高达922%至1086%。展望供给端,南亚科总经理李培瑛表示,内存供需吃紧的局面最快也要到2028年下半年才有望缓解,进一步夯实存储高景气周期(883436)长期逻辑。

中信证券(HK6030)表示,2月以来,随铠侠业绩及指引超预期、NAND一季度合约价上调、以及国内模组厂商佰维存储(688525)发布1-2月业绩公告超预期,进一步验证了存储行业景气度维持高位。我们继续看好存储需求超预期,预计行业供不应求将持续至27H1,核心推荐短期业绩爆发性强的存储模组公司、存储原厂及贴近原厂的设计公司。

东方证券(HK3958)表示,AI需求引领,NAND供不应求持续。相关标的:国内存储芯片(886042)设计厂商兆易创新(HK3986)普冉股份(688766)聚辰股份(688123)东芯股份(688110)北京君正(300223)恒烁股份(688416)等;国产存储模组厂商江波龙(301308)德明利(001309)佰维存储(688525)等;受益存储技术迭代的澜起科技(HK6809)联芸科技(688449)翱捷科技(688220)等;半导体设备(884229)企业中微公司(688012)精智达(688627)京仪装备(688652)拓荆科技(688072)北方华创(002371)等;国内封测企业深科技(000021)汇成股份(688403)通富微电(002156)等;配套逻辑芯片厂商晶合集成(688249)等。

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