据韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息，三星电子正与英伟达（NVDA）合作，加快下一代NAND闪存芯片的研发。三星半导体（881121）研究院、英伟达（NVDA）和佐治亚理工学院的联合研究团队开发了一种“物理信息神经网络算子”模型，其分析铁电基NAND闪存器件性能的速度比现有模型快1万倍以上，并公布了研究结果。基于研究成果，三星正与英伟达（NVDA）合作开发和商业化铁电NAND闪存。(财联社)