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午后存储芯片异动拉升 佰维存储涨超10% 机构:预计存储芯片供需失衡下半年持续存在
2026-03-16 13:14:51
来源:财闻
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问财摘要

1、3月16日,存储芯片板块快速拉升,盛视科技、盈新发展、朗科科技涨停,华虹公司、北京君正、联芸科技、佰维存储跟涨。 2、Omdia发文表示,存储芯片市场的供需失衡预计将在2026年下半年持续存在,产量增长落后于需求。供应商面临在扩大生产的同时控制成本并保持盈利能力的挑战。这种失衡可能导致价格进一步波动,影响依赖DRAM和NAND的下游产业。 3、中国银河认为,在外部环境背景下,供应链安全与自主可控依旧是长期趋势。设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑最硬,数字芯片是算力自主的核心载体,先进封测受益于技术升级。
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佰维存储--
盛视科技--
华虹公司--
盈新发展--
北京君正--
朗科科技--

3月16日,午后存储芯片(886042)板块快速拉升,截至发稿,盛视科技(002990)(002990.SZ)、盈新发展(000620)(000620.SZ)、朗科科技(300042)(300042.SZ)等涨停,华虹公司(688347)(688347.SH)、北京君正(300223)(300223.SZ)、联芸科技(688449)(688449.SH)、佰维存储(688525)(688525.SH)等跟涨。

消息面上,当日Omdia发文表示,存储芯片(886042)市场的供需失衡预计将在2026年下半年持续存在,产量增长落后于需求。供应商面临在扩大生产的同时控制成本并保持盈利能力的挑战。这种失衡可能导致价格进一步波动,影响依赖DRAM和NAND的下游产业。

另外,2026年存储行业迎来高景气周期(883436),在AI算力需求爆发与国产替代双重驱动下,DRAM、NAND闪存供需持续偏紧,价格大幅上行。截至2026年1月,两大存储芯片(886042)价格均创下2016年有统计以来新高:主流DDR48Gb DRAM合约价11.5美元,环比上涨24%、较2025年9月上涨83%;128Gb NAND闪存合约价9.5美元,环比上涨65%、较2025年9月涨近1.5倍。受AI芯片与HBM内存需求带动,2026年亚洲半导体(881121)大厂资本开支有望突破1360亿美元,台积电(TSM)、三星、SK海力士位列前列,其中台积电(TSM)加码先进制程,三星、海力士重点布局HBM,直接拉动设备及先进封装(886009)产业链需求爆发。

中国银河(HK6881)认为,在外部环境背景下,供应链安全与自主可控依旧是长期趋势。设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑最硬,数字芯片是算力自主的核心载体,先进封测受益于技术升级。

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