当地时间3月16日，据报道，美光科技（MU）表示，其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货，首批产品为36GB的12层堆叠(12-high)版本，专为Vera Rubin平台打造。该公司表示，HBM4相比上一代HBM3E提升约2.3倍，同时功耗效率提升超过20%。此外，美光科技（MU）表示，目前已向客户提供了16层堆叠(16-high)48GB HBM4的早期样品。与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。(界面新闻)