● 本报记者郑萃颖

5月27日下午，根据上海证券交易所公告，长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。这家被视为“中国版SK海力士”的存储芯片（886042）龙头企业，正携295亿元的拟募资规模，站在资本市场的聚光灯下。

在全球半导体（881121）产业深刻变革的当下，中国存储芯片（886042）势力正在向由三星电子、SK海力士、美光科技（MU）三巨头主导的全球存储俱乐部迈进。

步入主要厂商阵营

长鑫科技是我国规模领先、技术先进、布局完善的DRAM(动态随机存储器芯片)研发设计制造一体化企业之一。本次IPO拟募集资金总额为295亿元，成为科创板史上仅次于中芯国际（688981）的第二大IPO。

招股书介绍，长鑫科技自2016年成立以来，突破了DRAM关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产，填补了中国大陆DRAM产品在全球市场上的空白。根据Omdia的数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

招股书披露，长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营，按照2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%。

中国虽然是全球主要DRAM消费（883434）市场，但本土品牌DRAM产品自给率仍较低。随着人工智能（885728）快速发展，相关基础设施投资高速增加，DRAM的市场需求呈现爆发式增长，本土存储公司加快发展，龙头企业资本化进程提速。

国产存储追赶技术浪潮

市场咨询机构Gartner今年4月发布研究报告，提出“存储通胀”的概念，预测全球DRAM年度价格将上涨125%，NAND闪存价格将同比提升234%。今年一季度涨势延续。根据Counterpoint Research数据，2026年一季度DRAM价格环比上涨了80%，创下历史新高，预计二季度DRAM价格将进一步上涨。

市场需求带动公司业绩上涨。SK海力士今年一季度营业利润同比增长405%，三星电子营收、营业利润均创下季度历史新高。

长鑫科技同样迎头赶上。今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比大幅扭亏为盈。长鑫科技预计，公司今年上半年净利润为500亿元至570亿元，该数字超过了公司过去十年的累积亏损。招股书披露，截至2025年12月31日，长鑫科技累计亏损为366.5亿元。

长鑫科技在招股书中指出，公司产能规模仍远低于国内庞大的市场需求，随着上市募集资金建设项目的稳步推进，公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，获得更强的市场竞争力及盈利能力，满足未来全球下游市场旺盛的需求。

“跳代研发”缩小技术差距

公司采取“跳代研发”的策略，从公司成立起不做低端、落后制程，直接在2019年推出自主设计生产的8Gb DDR4芯片，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。随后在2024年、2025年，长鑫科技DDR5、LPDDR5X产品相继量产。如今已完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代。

长鑫科技主要产品正加速渗透下游市场。招股书显示，目前DDR5向服务器、个人电脑等下游市场覆盖；LPDDR4X芯片兼具大容量、高速率、高带宽和低功耗的特点，目前已进入小米、OPPO、vivo、传音、联想等主流厂商供应链；LPDDR5/5X具有高安全性，能实时纠错，减少系统故障。

国金证券（600109）电子首席分析师樊志远指出，长鑫科技与全球DRAM存储龙头技术节点差距逐渐缩小。公司技术迭代速度显著加快，2025年10月推出的LPDDR5X最高速率达10667Mbps，性能指标已对标国际主流水平。

长鑫科技已计划投资345亿元用于研发和扩产，其中75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，180亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

樊志远认为，存储芯片（886042）架构正经历从2D向3D的深层次变革，未来，存储芯片（886042）制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升，关键设备厂商也将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。