A股三大指数早盘集体上涨，截至午盘，上证指数（1A0001）涨0.51%，深证成指（399001）涨1.25%，创业板指（399006）涨1.91%，北证50涨0.05%，科创50（1B0688）指数涨2.98%。全市场成交额16310亿元，较上日缩量1643亿元，全市场超2900只个股下跌。
板块题材上，电子化学品（881172）、半导体（881121）、光刻胶（885864）、元件（881270）、PCB、存储芯片（886042）板块涨幅居前；油气开采及服务（881107）、煤炭开采加工（881105）、白酒（881273）、电机、房地产（881153）板块跌幅居前。
ETF午间收盘涨跌不一，科创半导体ETF(588170)领涨6.93%，科创半导体设备ETF(588710)涨6.82%，科创半导体设备ETF(589020)涨6.74%。
标普油气ETF(513350)领跌5.27%，标普油气ETF(159518)跌4.74%，能源ETF(159930)跌2.88%。
在全球科技股抛售背景下，英伟达（NVDA）首席执行官黄仁勋称此轮下跌为入场良机，强调AI基础设施建设才刚起步。市场担忧AI过热和加息预期导致抛售，黄仁勋坚持AI将成为全球基础设施，处于早期阶段并带动对数据中心及芯片的持续需求。黄仁勋表示，SK海力士到2030年将晶圆产能翻倍的计划还不够。此前，SK海力士负责人表示，存储芯片（886042）产能瓶颈问题可能会持续到2030年。此外，马斯克也唱多芯片需求，其表示“真正的瓶颈在于芯片制造能力，目前美光的产能还远不及芯片实际需求”。
6月4日，SemiAnalysis报告指出，英伟达（NVDA）将计划于3Q26开售的新一代AI服务器VeraRubinNVL72的CPU侧内存用量减半。华泰证券（HK6886）指出，仅砍CPU侧系统内存，算力内存路径不改。据SemiAnalysis，降规仅针对CPU侧DRAM：英伟达（NVDA）将VeraRubinNVL72的CPU侧系统内存(SOCAMM)单模块由192GB降至96GB，单机柜系统DRAM由约55.3TB减半至27.6TB，GPU侧HBM4(72×288GB≈20.7TB/柜)维持不变。拉长看，英伟达（NVDA）HBM沿Hopper→Blackwell→Rubin持续抬升，单GPU容量由80/141GB升至192、288GB，2027年RubinUltra将切换至HBM4E、单GPU达1TB；而CPU侧系统内存在GB200/GB300时代为Grace板载LPDDR5X(约17TB/柜)，至Rubin改用可插拔SOCAMM模块、本应跃升至约55TB/柜——正是这一跳变叠加供给紧张，被降配回约28TB。
