6月8日，金元证券发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，英伟达（NVDA）和SK海力士宣布建立多年技术合作伙伴关系，双方联合开发英伟达（NVDA）下一代AI内存，并扩大供应，以满足全球人工智能（885728）工厂加速建设的需求。
此次合作有望实现双方共赢。一方面，英伟达（NVDA）通过与SK海力士的多年期合作，有望提前锁定HBM4及后续先进存储技术路线和供应能力，保障下一代AI平台交付确定性；另一方面，SK海力士可借助CUDA-X、PhysicsNeMo加速TCAD、计算光刻和内部仿真流程，提升芯片研发与工艺迭代效率，并基于Omniverse、OpenUSD、cuOpt、Metropolis推进晶圆厂数字孪生（885820）和自主运营能力建设。
SK海力士主供地位进一步强化，HBM竞争格局短期强者恒强。SK海力士是英伟达（NVDA）重要内存合作伙伴。根据年初韩媒报道，SK海力士已拿下英伟达（NVDA）HBM4超过2/3供应订单。尽管三星、美光均已拿到HBM4供货资质，但HBM客户量产良率要求高、封装协同难度大，SK海力士领先的量产经验和客户绑定优势较难在短期内被完全打破。本次多年期技术合作有助于SK海力士继续巩固在英伟达（NVDA）下一代AI平台中的核心份额。
随着AI芯片持续升级，HBM重要性从配套存储提升为平台级核心部件。大模型训练和推理过程中，大量参数、KVCache和中间激活数据需要在GPU与显存之间高速搬运，单纯提升GPU峰值算力并不能完全转化为有效算力，显存容量和内存带宽正在成为AI芯片性能释放的重要约束。进入Rubin及后续平台后，HBM4及更高阶产品将进一步提升带宽、容量和I/O密度，并与GPU通过先进封装（886009）深度集成，HBM的供给能力、良率水平和封装协同将直接影响AI加速卡性能和交付节奏。因此，HBM产业链的战略地位有望持续提升。相对于HBM3E，HBM4的增量主要体现在I/O位宽提升、堆叠层数增加、带宽与容量继续扩大，以及与GPU先进封装（886009）协同复杂度提升，微凸点/RDL、中介层与先进封装（886009）、TSV与晶圆减薄、键合与底填材料、热管理、KGD测试和先进封装（886009）检测等环节有望受益。
