近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管(3D堆叠FET)方面取得的成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体（881121）领域。(科创板日报)
三星电子展出业界最小3D堆叠晶体管
2026-06-17 15:37:29
来源：同花顺7x24快讯
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近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管(3D堆叠FET)方面取得的成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体（881121）领域。(科创板日报)
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