当地时间周六(7月4日)，美光科技（MU）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元(约合93亿美元)的项目，旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片（886042），以满足人工智能（885728）(AI)浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达（NVDA）AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。
近期，美光、三星电子和SK海力士（SKHY）各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士（SKHY）宣布，计划投资80万亿韩元(约合514.6亿美元)，在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片（886042）工厂。
