8月4日，美股盘前存储板块走强，美光科技（MU）盘前上涨3.68%，SK海力士（SKHY）盘前上涨3.00%，闪迪（SNDK）盘前上涨4.05%，西部数据（WDC）盘前上涨2.92%，希捷科技（STX）盘前上涨2.44%。
当日，日经225（N225）指数收涨0.32%，报63957.53点；韩国kospi（KS11）指数收涨1.62%，报6358.95点。个股方面，SK海力士（SKHY）微涨0.64%，三星电子微涨0.21%。当日，韩股盘中大幅震荡，三星、SK海力士（SKHY）盘中一度跌超4%后又相继转涨，韩国创业板指（399006）期货一度上涨超过6%，触发熔断机制。
根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，NVIDIA（英伟达（NVDA））对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM412hi、HBM48hi等设计，目前尚未定案。除了NVIDIA外，部分云端服务供应商（CSP（CSPI））也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。
TrendForce集邦咨询表示，近期存储器供给紧缺已导致数次AI芯片的DRAM规格调降。2026年上半年以来，CSP（CSPI）、Server OEM陆续下调RDIMM容量；日前NVIDIA也考量LPDDR5X短缺将持续至2027年，决定将次世代Vera Rubin Superchip模组所搭载的SOCAMM容量减半。
