8月6日，韩国综指跌幅扩大至2%，现报6458.06点。个股方面，SK海力士（SKHY）跌超5%，三星电子跌超2%。
美东时间周三，半导体板块多数收跌，AMD跌7.04%，第三季度营收指引低于华尔街最乐观预期。高通（QCOM）跌3.16%，ARM跌2.13%，阿斯麦（ASML）跌1.97%，上涨方面，英特尔（INTC）、博通（AVGO）小幅度上涨。明星存储芯片（886042）股尾盘跳水，盘中希捷科技（STX）、美光科技（MU）一度涨超4%，截至发稿仅美光科技（MU）微涨0.06%，闪迪（SNDK）、西部数据（WDC）跌超5%，盘后公布最新财报。SK海力士（SKHY）跌超2%，希捷科技（STX）跌近1%。
值得注意的是，三星电子和SK海力士（SKHY）股价近月大幅回调，估值已跌至极度悲观水平。根据摩根大通（JPM）的研究，以韩国股票为标的的杠杆ETF资产从6月底的500亿美元缩水至上周的170亿美元。三星、SK海力士（SKHY）股价几近腰斩，韩国散户自6月峰值遭遇了约40%的损失。
据追风交易台消息，8月4日，高盛（GS）Giuni Lee团队发表研报，高盛（GS）认为基本面并不支持如此低廉的定价，并重申对两家公司的买入评级。
研报系统梳理了市场当前对韩国存储行业的八大核心疑虑，涵盖HBM定价前景、长期协议结构、库存状况、股东回报及SK海力士（SKHY）美股ADR的影响等议题。分析师认为，上述担忧大多被市场过度解读，真实的供需格局依然支撑存储价格处于高位。
在此背景下，三星电子和SK海力士（SKHY）股价在过去一个月内分别下跌23%和35%，使两家公司的2027年预期市盈率均跌至约3.5至3.6倍、市净率仅为1.4至1.6倍。高盛（GS）指出，这一估值水平隐含着市场对两家公司盈利可持续性的极度不信任，而这与其实际的基本面状况明显背离。
高盛（GS）预计，三星电子和SK海力士（SKHY）的HBM综合均价将在2027年分别同比上涨约87%和100%，双双接近每Gb 2.9美元。其中，同类产品价格涨幅约为60%，其余增量来自产品组合改善。展望SK海力士（SKHY）三季度业绩，高盛（GS）预计DRAM出货量将环比增长约10%，均价将环比增长约19%，主要受益于HBM4量产爬坡及1c nm DRAM扩产带来的组合改善，对应营业利润预测约为77万亿韩元，与市场一致预期大体吻合。
高盛（GS）还指出，相较于部分已锁定含价格上限合约的同行，海力士在普通DRAM价格弹性方面的暴露更大，若价格表现超预期，公司的上行空间或更为显著。
中信证券（600030）研报指出，目前韩国散户杠杆已快速去化，但我们观测的指标显示风险尚未完全出清，券商融资余额7月31日单日缩水10%，创年内最 大降幅，显示场内杠杆仍在快速去化，同时7月30与31日散户单日爆仓强平金额仍超千亿韩元，爆仓率仍处于7%-8%高位，远高于市场稳定状态下的1%水平。韩国平准基金规模有限，韩国国民年金入场有道德风险，我们预计后续市场波动率仍将处于相对较高水平。
