SK海力士举行美国印第安纳州HBM生产基地奠基仪式

SK海力士（SKHY）宣布，于当地时间27日在美国印第安纳州西拉斐特的普渡大学举行了面向AI的存储器先进封装（886009）生产基地奠基仪式。总投资额将超过40亿美元的印第安纳晶圆厂，预计于2028年10月完成无尘室建设，并于2029年下半年启动新一代HBM量产。SK海力士（SKHY）在奠基仪式上与普渡大学签署了先进封装（886009）领域研发合作的谅解备忘录。双方将基于MOU加强研发合作，共同研究包括HBM在内的下一代系统集成及先进封装（886009）技术。(人民财讯)