在今日举行的恒坤新材(688727)2026年上半年业绩会上,该公司在介绍前驱体材料TEOS产能利用率时表示,公司TEOS目前产能利用率为50%以上。其曾在半年报中新增提出“旋涂介电材料”作为第三大产品矩阵。最新进展方面,其表示,“旋涂介电材料系DRAM、14nm及以下先进逻辑芯片、高堆叠3D NAND存储芯片(886042)制造所需核心材料,目前处于研发、产业化准备阶段。”(科创板日报)
在今日举行的恒坤新材(688727)2026年上半年业绩会上,该公司在介绍前驱体材料TEOS产能利用率时表示,公司TEOS目前产能利用率为50%以上。其曾在半年报中新增提出“旋涂介电材料”作为第三大产品矩阵。最新进展方面,其表示,“旋涂介电材料系DRAM、14nm及以下先进逻辑芯片、高堆叠3D NAND存储芯片(886042)制造所需核心材料,目前处于研发、产业化准备阶段。”(科创板日报)