IT之家10月5日消息,DRAM内存芯片与模组制造商南亚科技(Nanya Technology)本月1日宣布,将在屏东科学园区投资设立3D晶圆封装测试厂。
这座先进封测设施将导入TSV(硅通孔)、晶圆堆叠等3D IC先进技术,布局晶圆级(Wafer Level)封装与测试的专业制造整合能力,以满足AI应用快速发展所带动的高性能、高带宽内存需求。
IT之家注意到,从描述上来看,南亚科技的这种新后端工厂将瞄准“类HBM”的内存解决方案,有望拿下各类AI芯片的订单。
IT之家10月5日消息,DRAM内存芯片与模组制造商南亚科技(Nanya Technology)本月1日宣布,将在屏东科学园区投资设立3D晶圆封装测试厂。
这座先进封测设施将导入TSV(硅通孔)、晶圆堆叠等3D IC先进技术,布局晶圆级(Wafer Level)封装与测试的专业制造整合能力,以满足AI应用快速发展所带动的高性能、高带宽内存需求。
IT之家注意到,从描述上来看,南亚科技的这种新后端工厂将瞄准“类HBM”的内存解决方案,有望拿下各类AI芯片的订单。