IT之家10月7日消息，《韩国经济日报》当地时间今日报道称，三星电子存储器业务的12层堆叠HBM4E内存已于9月末通过NVIDIA(英伟达（NVDA）)和主要超大规模数据中心企业的质量验证测试，各客户的供货量、合同规模、出货时间尚未敲定。
三星电子此前在今年5月实现了12Hi HBM4E产品的出样。其结合了1c nm DRAM Die与4nm Logic Die，单堆栈容量达48GB，支持14~16Gbps引脚速率，实现16%能效提升、14%热阻改进。
三星电子官方回应称“无法确认”其12层HBM4E产品是否已通过客户质量验证。
