IT之家10月9日消息，ASML(阿斯麦（ASML）)与其光学系统合作伙伴ZEISS(蔡司)在一份10月1日发布的文章中表示，数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV光刻机（886054）有望支持5nm“半间距”的光学分辨率，并在10年左右面世。
▲ 现有High NA EUV光刻机
文章分析称，延续13.5nm波长并提升数值孔径至0.75是High NA EUV的合理演进。Hyper NA EUV的技术挑战主要集中在更低的可用景深上，这需要更薄的光刻胶（885864），同时改进扫描设备的聚焦控制、晶圆平整、工艺控制。
0.75NA的光学系统仅会略大于现有的High NA EUV设备，拥有良好的洁净室和设备兼容性。而扩展至0.85NA会导致系统体积大幅增长，反而降低吸引力。通过光学和机械上的改进，配套掩膜基础无需重大改动即可在Hyper NA EUV上复用；光源系统预计也能实现复用。
参考
https://www.spiedigitallibrary.org/journals/journal-of-micro-nanopatterning-materials-and-metrology/volume-25/issue-4/041807/Hyper-NA-a-system-with-a-numerical-aperture-of-at-least-0-75/10.1117%2F1.JMM.25.4.041807.full
