IT之家10月15日消息，据韩媒The Elec今天报道，SK海力士（SKHY）现已公布3D FeNAND实现模拟存内计算(Analog Compute-in-Memory，A-CiM)的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。
据介绍，A-CiM可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算(IT之家注：MAC)，减少数据搬运、提升处理速度和能效。
3D FeNAND则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。对比之下，传统3D NAND采用电荷俘获氮化物(CTN)结构，将电子捕获在氮化物层中。铁电材料的特点是，即使外部电场消失，其内部极化状态仍能保持。
SK海力士（SKHY）表示，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。
