曼恩斯特玻璃基板关键薄膜工艺解决方案首次亮相2026湾芯展

2026-10-19 17:44:51
作者:让涂布变得简单
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AIME

问财摘要

1、2026湾区半导体产业生态博览会举办,曼恩斯特展示了玻璃基板关键薄膜工艺解决方案及核心装备。AI算力与高性能计算需求增长,玻璃基板受到广泛关注。 2、曼恩斯特以PVD、ALD、狭缝涂布三大技术平台,覆盖通孔金属化均匀沉积与RDL介电层制备等关键工艺,为玻璃基板先进封装提供核心装备支持。
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10月14日—16日,2026湾区半导体(881121)产业生态博览会(湾芯展)于深圳会展中心(福田)举办。曼恩斯特(301325)携玻璃基板(886111)关键薄膜工艺解决方案及核心装备亮相7H08展位,重点展示磁控溅射设备(PVD)、原子层沉积设备(ALD)及精密狭缝涂布设备(Slot-die Coater)在玻璃基板(886111)先进封装(886009)领域的应用能力。

AI算力与高性能计算需求持续增长,先进封装(886009)正向更大尺寸、更高互连密度演进。玻璃基板(886111)凭借优异的尺寸稳定性、电绝缘性与可调介电常数,受到广泛关注。TGV(玻璃通孔)是实现玻璃基板(886111)上下表面电气互连、支撑高密度垂直互连的关键结构。

但玻璃基板(886111)先进封装(886009)的产业化仍面临高深宽比TGV通孔金属化、膜层沉积均匀性与连续性控制,以及大面积RDL介电层的制备等核心工艺挑战。曼恩斯特(301325)以PVD、ALD、狭缝涂布三大技术平台,覆盖通孔金属化均匀沉积与RDL介电层制备等关键工艺,为玻璃基板(886111)先进封装(886009)提供核心装备支持。

01

TGV核心技术

金属化与互连可靠性

玻璃基板(886111)经激光改质、湿法刻蚀形成通孔后,通常需先沉积金属附着层与铜种子层,再通过铜电镀填充形成垂直导电通路。种子层连续性与界面附着性能,是影响电镀质量及长期互连可靠性的关键。

随着通孔孔径缩小、深宽比提升,PVD方向性沉积受遮蔽效应制约,孔内侧壁覆盖不足、局部种子层不连续,易引发电镀空洞与填充不均。同时,玻璃与金属热膨胀系数失配及薄膜残余应力,进一步影响界面稳定性。

展会现场,曼恩斯特(301325)自主研发的连续磁控溅射(PVD)设备与原子层沉积(ALD)设备吸引了众多技术人员与企业代表关注。围绕不同孔径与深宽比TGV通孔的薄膜沉积需求,两类设备形成工艺互补:PVD侧重高效金属沉积,ALD侧重高深宽比结构的保形覆盖。

连续磁控溅射(PVD)

高效沉积金属附着层与种子层

设备采用全自动进出片设计,减少间歇式设备的批次等待时间,有效提升设备产出效率。并支持生产节拍按需定制,提供覆盖实验、中试及规模化量产不同阶段的设备配置。

设备搭载HiPIMS高功率脉冲磁控溅射技术,通过优化等离子体特性,提升金属薄膜致密度与界面附着力。针对玻璃基板(886111)的热负荷敏感特性,采用低温沉积与低损伤工艺设计,有效抑制超薄玻璃基板(886111)翘曲,确保镀层均匀致密。设备面向深宽比 ≤ 12:1 的通孔金属化需求,适配玻璃、陶瓷及硅基等多种基板。

通过模块化腔体设计,支持单面或双面镀膜靶位定制,兼顾工艺配置灵活性与维护便利性。结合连续化生产模式减少批次切换损耗,帮助客户优化单位产出成本。

ALD原子层沉积

高深宽比结构的薄膜沉积

ALD设备基于自限制性表面反应,实现原子级膜厚控制,兼具优异的薄膜均匀性与工艺重复性,彻底消除结构遮蔽效应。适用高深宽比通孔内阻挡层、界面层及导电成核层等功能薄膜的精细制备。

设备支持深宽比15:1~150:1、孔径20μm以下的高深宽比通孔应用,在适宜工艺条件下台阶覆盖率近100%,为复杂三维结构的功能薄膜制备提供技术支撑。

同时温和的制程温度适配多种热敏性基材,在保证成膜质量的同时降低热负荷,避免玻璃基板(886111)热变形与性能退化风险。

从常规深宽比的高效金属化到超高深宽比的保形沉积,PVD与ALD形成梯度覆盖,为不同TGV结构提供差异化技术选择。

02

RDL介电层

狭缝涂布提升大面积成膜均匀性

随着玻璃基板(886111)先进封装(886009)向大尺寸、面板级制造发展,传统旋涂工艺在材料利用率与膜厚均匀性上面临挑战。曼恩斯特(301325)平板狭缝涂布设备,采用线性涂布方式,无旋转机械应力,支持单面、双面工艺切换,为大面积光敏PI/PBO介电材料及光刻胶(885864)涂布提供高均匀、低损耗的涂布技术支撑。

高精度成膜,保障介电层均匀性

设备搭载自研高精度涂布模头与闭环供液系统,实现有效涂布区域膜厚均匀性≤3%,材料利用率>95%,为精细线路所需的介电层均匀制备提供关键工艺基础。

稳定供液与洁净控制,降低涂层缺陷风险

高精度注液泵流量分辨率达0.01μL/s,配合模头预挤出、自动清洗及整机FFU洁净系统,有效提升涂布过程的供液稳定性与洁净控制水平,降低残液及颗粒污染造成的涂层缺陷风险。

多材料适配,支撑规模化制造

设备兼容多种规格硼硅玻璃基板(886111)与半导体(881121)介电材料,支持小批量研发至面板级量产机型选型,为L/S 2~5μm级RDL精细布线提供介电层制备工艺支持。

本届湾芯展期间,围绕相关工艺难点、技术进展及产业化挑战等话题,曼恩斯特(301325)与到场行业同仁展开深入意见交流。

面向未来,针对AI算力、CPO光互联及2.5D/3D先进封装(886009)等领域蓬勃发展的技术需求,曼恩斯特(301325)将持续推进核心工艺与装备创新,深化应用探索,为玻璃基板(886111)先进封装(886009)技术发展及应用拓展提供解决方案支持。

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